IBAH (07.07.2024 17:08, просмотров: 2245)-
- Посетила идея, для борьбы с током восстановления использовать
двухступенчатый драйвер, сначала малым током открываем до
наступления плато милелера, а потом херачим на полный ток
перезаряжая емкость сток-затвор. Закрываем тоже максимальным током.
Видел кто такое? - IBAH(10.07.2024 21:39)
- До наступления плато без разницы, каким током открывать. Плато появляется именно тогда, когда начинает меняться потенциал на стоке. Или вы имели ввиду, на самом плато, в его начале, удерживать потенциал затвора на небольшом уровне, чтобы высосать заряд диода малым током стока приоткрывшегося транзистора? Если так, то, думаю, выигрыша не будет, разве что по помехам ситуация улучшится. Nikolay_Po(111 знак., 10.07.2024 21:51)
- На обычных мосфетах способов мало, и все они не очень эффективны. Специально затягивают время открывания, сохраняя время закрывания быстрым. В низковольтных схемах можно зашунтировать мосфет диодом Шоттки, у которого прямое падение напряжения меньше, чем у диода, встроенного в мосфет. На высоких напряжениях (более 150...200В) это не работает, высоковольтные диоды Шоттки имеют падение более 0.6В. В древних схемах делали целый огород, ставили последовательно с мосфетом мощный Yurasvs(965 знак., 08.07.2024 08:16)
- зашунтировать диод резистором последовательно с кондером. - йя(07.07.2024 22:56,
) - GaN, у него Qrr = 0 - NeoPower(07.07.2024 19:27,
) - Есть, но запрещенный:-) Если индуктивность нагрузки с емкостью
канала резонанс возле рабочей частоты имеет, то мягкий режим
коммутации и высокий КПД на этой частоте. Нашим ДН это показывал,
они упомянуть боятся, в теории не описано, значит не может быть! - Visitor(07.07.2024 18:03)
- Это не тот случай. это для преобразователя подходит, для шим-управления не очень - IBAH(07.07.2024 18:18)
- Также в мосте засада, восстанавливаются сразу два диода. Я думал мож какой шим придумать, чтобы разнести фронты
в плечах моста. - IBAH(07.07.2024 17:11)
- Завтра могу схему подкинуть, результат всю электронику смешной
делает, для формирования DT 3..4 гейта 74LVC1G14 достаточно. - Visitor(07.07.2024 18:12)
- Не в мертвом времени дело. Восстанавливаются одновременно два
диода, один в вверху левого полумоста, другой внизу правого
полумоста. Ток восстановления удваивается. - IBAH(07.07.2024 18:21)
- А самое тупое решение не пробовали? Зашунтировать диодами быстрее. - Visitor(07.07.2024 19:39)
- Не факт что поможет. У быстрых диодов как правило больше прямое падение напряжения. В результате ток всё равно пойдёт через встроенные диоды, а подключенные снаружи останутся бесполезными. - ЫЫyкпy(07.07.2024 23:00)
- А это как? - Solo(07.07.2024 19:47)
- IKW15T120: IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode. Также наблюдал в DS на FDS6690AS: 30V N-Channel PowerTrench® SyncFETTM. The FDS6690AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode. - Toчкa oпopы(07.07.2024 22:51)
- А чего удваивается? Как это? - Solo(07.07.2024 19:19)
- Еще хитрые снабберы бывают, но моя попытка использовать такой салютом закончилась. - Visitor(07.07.2024 18:34)
- А самое тупое решение не пробовали? Зашунтировать диодами быстрее. - Visitor(07.07.2024 19:39)
- Не в мертвом времени дело. Восстанавливаются одновременно два
диода, один в вверху левого полумоста, другой внизу правого
полумоста. Ток восстановления удваивается. - IBAH(07.07.2024 18:21)
- Завтра могу схему подкинуть, результат всю электронику смешной
делает, для формирования DT 3..4 гейта 74LVC1G14 достаточно. - Visitor(07.07.2024 18:12)
- Посетила идея, для борьбы с током восстановления использовать
двухступенчатый драйвер, сначала малым током открываем до
наступления плато милелера, а потом херачим на полный ток
перезаряжая емкость сток-затвор. Закрываем тоже максимальным током.
Видел кто такое? - IBAH(10.07.2024 21:39)
