Дык если условный "драйвер" запитать от входного напряжения LDO, то можно и N-MOSFET применить (в схеме истокового
повторителя) с меньшим RDSon и меньшим VGSth, чем у сейчас применяемого P-MOSFET. Даже "низковольтные" MOSFET
допускают на затворе ±12В. А уж 40-50Вые вплоть до ±20В.