nanorobot (30.07.2025 10:03, просмотров: 4828)-
- Если вам для защиты USB, то мы применяем USBLC6-2SC6. А если вы
решили какие-то аналоговые цепи защищать, то учтите, что у диодов
Шоттки сильная зависимость обратного тока от температуры. - reZident(1 знак., 30.07.2025 10:14, ссылка)
- Да, аналоговые.. ADS1299. Analog input AVSS – 0.3 AVDD + 0.3 - nanorobot(30.07.2025 10:53)
- Такая вариация на тему "токовое зеркало". Toчкa oпopы(2 знак., 31.07.2025 11:52, ссылка, картинка)
- предложу рассыпуху на основе PNP Vit(28 знак., 30.07.2025 13:25, картинка)
- Кстати, D2 можно заменить на тот же PNP или NPN в "диодном"
включении, т.к. на нем падение напряжение ниже, чем на обычном P-N
переходе. Обратное напряжение Б-Э до 5В обычно все кремниевые
транзисторы нормально держат. - reZident(30.07.2025 13:54)
- Разве ниже? те же 0.65 при токе 100мкА. Думаю при паре мА уже 0.7
легко будет. - Ralex(31.07.2025 11:09)
- Ниже-ниже. Около уровня насыщения К-Э. Я имею в виду вариант а включения транзистора как диода (см. картинку). Вариант г тоже
походит, но в таком "инверсном" включении коэффициент передачи по
току, существенно ниже, чем в варианте а и, соответственно, падение
может быть выше. При использовании BC847C в качестве диода по
варианту а падение на нем около 0,3В ЕМНИП. reZident(1 знак., 31.07.2025 11:21, картинка)
- промакетировал, правда в удобном корпусе был только КТ3102БМ -
напряжение 0.602 вольт, ток 5 мА - Ralex(31.07.2025 17:01)
- не пробовали при включении БЭ-К? - Vit(01.08.2025 09:54)
- Проверил тот же BC847C в инверсном режиме. При токе до 100мкА
разницы практически никакой. На более высоких токах падение на
десятки мВ отличается (больше, чем в нормальном режиме). Хотя, если
честно, эти мВ могут быть и ошибкой измерения (батарейка в одном из
тестеров вчера была на грани сдыхания) и влиянием температуры. reZident(203 знак., 01.08.2025 13:09)
- Для интереса падение напряжение на маломощном диоде Шоттки BAT54A
при таких же малых токах, как и у BC847C. reZident(196 знак., 01.08.2025 13:24)
- спасибо. ожидаемо. и для инверсного, и для Шоттки - Vit(01.08.2025 13:52)
- Для интереса падение напряжение на маломощном диоде Шоттки BAT54A
при таких же малых токах, как и у BC847C. reZident(196 знак., 01.08.2025 13:24)
- Типа, инверсный режим? - Nikolay_Po(01.08.2025 10:02)
- да. аксакалы говорят, что прямое падение меньше. Игумнов Д.В., Королев Г.В., Громов И.С. Основы микроэлектроники 1991. с67 - Vit(1 знак., 01.08.2025 10:52, ссылка)
- Проверил тот же BC847C в инверсном режиме. При токе до 100мкА
разницы практически никакой. На более высоких токах падение на
десятки мВ отличается (больше, чем в нормальном режиме). Хотя, если
честно, эти мВ могут быть и ошибкой измерения (батарейка в одном из
тестеров вчера была на грани сдыхания) и влиянием температуры. reZident(203 знак., 01.08.2025 13:09)
- Да, вы правы. Малое падение только на малых токах. Я тоже
промакетировал на BC847C. reZident(223 знак., 31.07.2025 17:56)
- Малое напряжение насыщения - даёт токовое зеркало (см. выше). Toчкa oпopы(93 знак., 31.07.2025 20:49)
- Ради любопытства то же самое (при тех же токах) хотел проверить с маломощным диодом Шоттки BAT54A, но, блин, батарейка во втором тестере сдохла :-/ - reZident(31.07.2025 18:08)
- Спасибо. Жаль. - Nikolay_Po(31.07.2025 18:00)
- не пробовали при включении БЭ-К? - Vit(01.08.2025 09:54)
- Спасибо. Вроде, логично. Как только через базу начинает течь хоть
какой-то ток, он тут же усиливается и уводится с коллектора в
эмиттер. Поэтому нельзя говорить о насыщении перехода Б-Э, этому
препятствует ток коллектора. А значит, и напряжение открытого
"диода" будет меньше напряжения насыщения Б-Э. - Nikolay_Po(31.07.2025 11:29)
- только при использовании в качестве защиты весьма вероятен выход за режим малых токов - Vit(31.07.2025 12:33)
- промакетировал, правда в удобном корпусе был только КТ3102БМ -
напряжение 0.602 вольт, ток 5 мА - Ralex(31.07.2025 17:01)
- Ниже-ниже. Около уровня насыщения К-Э. Я имею в виду вариант а включения транзистора как диода (см. картинку). Вариант г тоже
походит, но в таком "инверсном" включении коэффициент передачи по
току, существенно ниже, чем в варианте а и, соответственно, падение
может быть выше. При использовании BC847C в качестве диода по
варианту а падение на нем около 0,3В ЕМНИП. reZident(1 знак., 31.07.2025 11:21, картинка)
- Разве ниже? те же 0.65 при токе 100мкА. Думаю при паре мА уже 0.7
легко будет. - Ralex(31.07.2025 11:09)
- Кстати, D2 можно заменить на тот же PNP или NPN в "диодном"
включении, т.к. на нем падение напряжение ниже, чем на обычном P-N
переходе. Обратное напряжение Б-Э до 5В обычно все кремниевые
транзисторы нормально держат. - reZident(30.07.2025 13:54)
- Дык возьмите сборки диодов типа BAV99 (или BAV199 если нужны еще
более низкие токи утечки) и "обоприте" их на стабилитрон с более
низким напряжением, например, 4,7В или 3,9В. А напряжение смещения
подайте на стабилитрон через резистор, чтобы ограничить ток
смещения на уровне 1,5-2мА. Ваши м/с ESD-protect вообще никак не
защищают от перенапряжения ибо у них напряжение ограничения TVS
выше максимально допустимого для АЦП напряжения. reZident(1 знак., 30.07.2025 12:02, картинка)
- ++ но есть и минус, а именно минус )) от отрицательного придется отдельно защищать, ещё одним диодом. - Ralex(30.07.2025 12:14)
- Да, аналоговые.. ADS1299. Analog input AVSS – 0.3 AVDD + 0.3 - nanorobot(30.07.2025 10:53)
- Если вам для защиты USB, то мы применяем USBLC6-2SC6. А если вы
решили какие-то аналоговые цепи защищать, то учтите, что у диодов
Шоттки сильная зависимость обратного тока от температуры. - reZident(1 знак., 30.07.2025 10:14, ссылка)
