Vit (18.08.2025 22:48, просмотров: 71) ответил pavel2000 на Поцикловое ограничение тока есть, но оно не успеет отработать в
случае пробоя диодов.-
- В косом мосте нет такой проблемы. И SiC диоды ставить параллельно
высоковольтным мосфетам смысла нет, у типичного SiC диода прямое
падение 1.2...1.4В, встроенный бодидиод мосфета все равно
откроется. Это работает только в низковольтных схемах, где мосфеты
шунтируют диодами Шотики (не SiC). В особо высокочастотных
двухтактных схемах иногда шунтируют SiC транзисторы SiC диодами, у
последних нет эффекта обратного восстановления - Yurasvs(19.08.2025 14:35)
- может с SiC и загнул, но быстрые, например, HFA30TB60 бывает, что
ставят. но видел только в поделках - Vit(19.08.2025 15:19)
- Тогда надо тщательно проверять разницу падений на внешнем и внутреннем диодах во всем диапазоне нагрузок и температур. В старые времена городили последовательно с транзистором дополнительный мощный низковольтный диод, чтобы добавить падение, и все это вместе шунтировали обратным быстрым диодом. Но это потери лишние, только от безысходности можно было так делать. Впрочем, к конструкции ТС это все отношения не имеет. - Yurasvs(19.08.2025 20:06)
- может с SiC и загнул, но быстрые, например, HFA30TB60 бывает, что
ставят. но видел только в поделках - Vit(19.08.2025 15:19)
- Не вполне понимаю, о проблеме в какой момент времени идет речь. pavel2000(231 знак., 19.08.2025 07:36)
- В косом мосте нет такой проблемы. И SiC диоды ставить параллельно
высоковольтным мосфетам смысла нет, у типичного SiC диода прямое
падение 1.2...1.4В, встроенный бодидиод мосфета все равно
откроется. Это работает только в низковольтных схемах, где мосфеты
шунтируют диодами Шотики (не SiC). В особо высокочастотных
двухтактных схемах иногда шунтируют SiC транзисторы SiC диодами, у
последних нет эффекта обратного восстановления - Yurasvs(19.08.2025 14:35)