Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Вторник
24 марта
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
1576894
Топик полностью
POV
(19.03.2026 20:49, просмотров: 69)
ответил
reZident
на
Не уверен на 100%, но возможно между выводами G и MT1 у симмисторов уже встроен резистор. Потому, что на диодной прозвонке (при токе 1-1,5мА) сопротивление P-N перехода обычного кремниевого диода или биполярного транзистора в районе 600 Ом, а у симмистора промеж G и MT1 (где по идее должен быть такой же кремниевый P-N переход) сопротивление обычно не более пары сотен Ом.
Робот мне написал, что резистор паразитный и сильно плывёт по величине. И потому лучше поставить внешние 470 ом. Но у меня не возникло ситуации когда симистор живет своей жизнью, и эти 470 Ом никак не повлияли.
Ответить
Я как-то замерял у одного тиристора 25TTS12S , намерял около 40 Ом. От температуры и экземпляра конечно плывет, зато неразрывно связан с тиристором. Поэтому и внешний резистор ничего не меняет.
-
Yft
(Сегодня, 10:21
,
+1
)