Nikolay_Po (08.04.2026 10:48, просмотров: 81) ответил Yurasvs на Идеальные диодные мосты бывают только низковольтные, на высокое
напряжение экономически невыгодно. Судите сами. На диоде обычного
моста падает 0.8..1В при рабочем токе, да еще с нагревом
уменьшается. На недешевом 20миллиомном мосфете при 25 градусах и
30А 600милливольт, но при рабочей температуре уже около вольта, и
притом он намного нежнее, хуже выдерживает кратковременные
перегрузки из-за квадратичной зависимости омических потерь от тока
нагрузки.-
- Дык если сравнить симмистор, скажем, на 16А и MOSFET на такой же
ток, то можно легко заметить, что симмистор выдерживает 10-кратную
перегрузку по току в течение сетевого периода (20мс), а MOSFET в
лучшем случае 2,5-3-кратную и то это сильно зависит от текущей
температуры кристалла и длительности импульса. - reZident(08.04.2026 11:44)
- Главная причина - у диода/тиристора падение напряжения при росте
тока растёт нелинейно, а у полевого транзистора - линейно и даже
ускоренно. - Nikolay_Po(08.04.2026 11:48)
- Там в основном 2 фактора. Кристалл триака намного массивнее, а у
мосфета ужат до предела для снижения паразитных емкостей. Тепловая
постоянная времени гораздо меньше. Плюс квадратичность. - Yurasvs(08.04.2026 19:06)
- Итого, разница ошеломляющая. - Nikolay_Po(08.04.2026 21:08)
- Там в основном 2 фактора. Кристалл триака намного массивнее, а у
мосфета ужат до предела для снижения паразитных емкостей. Тепловая
постоянная времени гораздо меньше. Плюс квадратичность. - Yurasvs(08.04.2026 19:06)
- Главная причина - у диода/тиристора падение напряжения при росте
тока растёт нелинейно, а у полевого транзистора - линейно и даже
ускоренно. - Nikolay_Po(08.04.2026 11:48)
- Дык если сравнить симмистор, скажем, на 16А и MOSFET на такой же
ток, то можно легко заметить, что симмистор выдерживает 10-кратную
перегрузку по току в течение сетевого периода (20мс), а MOSFET в
лучшем случае 2,5-3-кратную и то это сильно зависит от текущей
температуры кристалла и длительности импульса. - reZident(08.04.2026 11:44)