-
- В учебнике Титце и Шенка есть глава об использовании J-FET как
регулируемое сопротивление. Но там отмечено, что сопротивление в
прямом и инверсном включении сильно отличается. Даже предложен
метод линеаризации. Интересно, такая ли картина с современными
MOSFET? - =L.A.=(Сегодня, 12:31)
- В принципе такая же, только заметить сложно. Современные MOSFET обычно с довольно малым сопротивлением канала, и чтобы влиять нужен большой ток, и напряжение затвор-исток ближе к работе в линейной области. Плюс от тока имеем нагрев и изменение сопротивления канала - Vit(Сегодня, 13:26)
- Не в прямом и инверсном, а сильно зависит от напряжения на канале, ЕМНИП. - !Neofit(Сегодня, 12:44)
- Да, инверсный Ку прямо влияет на напряжэние насыщения. Если Б-Э позволяяет, то делали. КТ500-какие-то были специально ля такого включения. Решение широко применялось в дискретных ЦАП, в своё время. - mse homjak(Сегодня, 11:33)
- В учебнике Титце и Шенка есть глава об использовании J-FET как
регулируемое сопротивление. Но там отмечено, что сопротивление в
прямом и инверсном включении сильно отличается. Даже предложен
метод линеаризации. Интересно, такая ли картина с современными
MOSFET? - =L.A.=(Сегодня, 12:31)