Микроконтроллеры

Ээ Чтобы хоть как-то компенсировать вашу неуемную многословность в заголовках, ограничусь одной буквой (хм, с одной буквой не получается, скрипт ругается). Хотя, конечно, страница уже испорчена. Неприятно, но гложет меня предчувствие, что на этот мой пост, вероятно, последует еще один заголовок невшибенного размера, который вытянется по вертикали, и т.д. :( Я специально оговорился, что в активном режиме производная от В равна ПОЧТИ нулю. И плз, не надо пересказывать всем известные вещи, это скучно. Если вы найдете в интернете ссылку на источник, где описывается инжекция из коллектора в базу при малом прямом напряжении на коллекторном переходе, буду благодарен. Мне таковой найти не удалось. Везде, где речь идет об этой инжекции, ток коллектора показан текущим в направлениии, противоположном направлению в активном режиме. В таком варианте эта инжекция мне понятна, но совсем неинтересна, т.к. никакой практической пользы из такого режима я выудить не могу. Можно, конечно, вспомнить спаренные транзисторы с общим коллектором КТ118 или К1КТ241 (если склероз не изменяет), заточенные на работу именно в этом режиме (как коммутаторы). Однако время их прошло, имхо... Что же касается самой инжекции, то интересно было бы оценить, насколько правомочно использовать сам термин \"инжекция\" при малых прямых смещениях коллекторного перехода. И еще, когда говорят из инжекции из эмиттера в базу то частенько добавляют слова, что инжекция (в основном) происходит из сильнолегированной области (эмиттера) в слаболегированную (базу), так что говорить об инжекции из базы в эмиттер особого смысла нет. В случае коллекторного перехода это, очевидно, должно означать, что имеет смысл говорить об инжекции (основных носителей?) из базы в коллектор, а не наоборот. Я ума не приложу, какой вред могла бы принести инжекция основных (?) носителей из базы в коллектор (сновных для коллектора, ессно). Такой механизм работает в \"правильном направлении\", и должен, скорее, противодействовать негативным эффектам насыщения, чем способствовать им. В частности, то, что база инжектирует в коллектор, очевидно, должно уменьшать кол-во неосновных носителей, накапливаемых в базе?