Средства и методы разработки

Так, отставить п-ж и препирания. Данные по площади кристалла 51, FLASH (вложено) и Cortex-M0. -> http://arm.com/products/processors/cortex-m/cortex-m0.php
1 мил = 1/1000 дюйма = 0,0254 мм = 25,4 микрона 1 мил^2 = 0.00064516 кв. мм. 512 кбит FLASH 2630 мил^2 = 1.7 кв. мм. Площадь ядра 51 "вместе со всеми понтами" TSMC* 0.35μm 0.4730 mm2, или в 3.6 раза меньше. 51 по 0.35 - 6.8К "неких гейтов". Cortex-M0 - это 12к "неких гейтов" в минимальной конфигурации. ARM Cortex-M0 Implementation Data (Base usable configuration includes 1 IRQ + NMI, excludes debug; заметим, что debug добавит очень сильно) 180ULL (7-track, typical 1.8v, 25C) 0.13 mm2 Сколько будет "весить" M0 по технологии 0.35 я не нашел. Пусть в 2 раза больше 51, или 1 кв мм, что все равно в 1.7 раза меньше площади FLASH. Пусть у нас будет не 64к FLASH - но ведь нам еще ОЗУ надо и периферию. Так что оценунка дополнительной площади через 64к FLASH нормальная. Т.е. никакого смысла в 51 нет ваще!!! Не уж то у китаезов не хватает "левых" ЯРов? Или они JTAG не клепают? В общем, я нихера не понимаю, зачем нужно начинать делать новые 51...