caxapa.ru :: транзистор должен быть в линейном режиме, поэтому нет разницы JFET или MOSFET со встроенным каналом (с индуцированным не годится), всё равно нужен некоторый начальный ток через канал

koyodza (19.08.2013 15:41, просмотров: 163) ответил fk0 на Есть MEMS микрофоны, но потребление у всех порядка 100uA, что многовато... Конденсаторные тоже, напряжение нужно относительно высокое, но ток-то мизерный. Интересный вопрос в тему. Почему электретные микрофоны настолько жручие. Почему понятно.

транзистор должен быть в линейном режиме, поэтому нет разницы JFET или MOSFET со встроенным каналом (с индуцированным не годится), всё равно нужен некоторый начальный ток через канал

Ответить

- При низком отношении сигнал/шум ещё есть требование к коэф. шума транзюка. - saifullin(19.08.2013 18:37)
  - то уже следующее. Тут пока про базовые вещи говорим - koyodza(19.08.2013 19:03)
- А для MOSFET важен минимальный ток через канал? Я что-то не понимаю. Но для JFET транзисторов он указывается в даташите (Idss min). А на базе MOSFET же делают операционные усилители, да и на базе биполярных транзисторов тоже. И там токи на fk0(746 знак., 19.08.2013 16:26)
  - ты похоже вообще не понимаешь как работает транзистор. Минимальный ток здесь нужен не транзистору, а аналоговому сигналу, который является колебаниями различной амплитуды и полярности. Вот чтобы иметь разную полярность и нужен начальный ток koyodza(678 знак., 19.08.2013 16:50)
    - вощемто там начальное напряжение то совсем не нулевое. электрет он хранит фиксированный заряд. V₀=Q/C₀. под влиянием колебаний меняется C => меняется и V (Vgs) в каких то пределах вокруг V₀. - Snaky(19.08.2013 17:04)
      - речь не об V₀, а об Ids₀ - koyodza(19.08.2013 17:25)
        
        я имею ввиду что MOSFET с индуцированным каналом может быть этим напряжением смещен в область где I_DS0 > 0, и тогда ничто не мешает ему работать с разнополярным сигналом. тогда рассуждения fk0 имеют смысл. - Snaky(19.08.2013 17:43)
        
        всё верно, только попасть в имеющее смысл значение Ids₀ таким способом, да ещё и без ООС, будет очень непросто - koyodza(19.08.2013 17:47)
    - Ну и выходное сопротивление каскада тоже не должно быть слишком высоким... - Гудвин(19.08.2013 17:03)
  - Вопрос в чём. Есть же ОУ с токами в микроамперы. Что мешает ОУ разместить внутри микрофона или же разместить ОУ рядом с микрофоном непосредственно, а транзистор внутри микрофона заменить на MOSFET. Будет работать? Но не совсем понятно какие fk0(482 знак., 19.08.2013 16:38)
    - MOSFET точно так же может работать при околонулевых напряжениях, только нужен обедненного типа (depletion mode) - Shura(19.08.2013 16:39)
      - Почему так не делают? Для MOSFET значение силы тока уже не будет критичным? Пусть это будет не 0.5мА, как для MOSFET, а 10мкА, например. Будет работать, теоретически хотя бы? - fk0(19.08.2013 16:44)
        
        походу, при таком токе крутизна характеристики совсем никакая будет. - Mahagam(19.08.2013 17:28)
        
        Должно работать, почему нет - Shura(19.08.2013 17:06)
        
        P.S. Fig. 1(a) illustrates the basic microphone circuit showing a depletion-mode MOSFET as the buffer device - Shura(19.08.2013 17:10, ссылка)
        
        Будет, но частотка сильно пострадает из-за неизбежности увеличения номинала нагрузочного резистора. Кроме того, кажется, DMFET шумят гораздо сильнее необедненных - MBedder(19.08.2013 16:50)

Схемы, платы, компоненты