Микроконтроллеры

Анонсирую: "Кремниевая летопись" Часть I http://upload.caxapa.ru/Chrono_Semiconductor.rar
"Кремниевая летопись" Хронология развития полупроводниковых технологий (версия 1, редакция 1) Часть I 1833г. Майкл Фарадей проводит опыты с сульфидом серебра, исследуя зависимость роста проводимости полупроводников от повышения температуры. 1906г. Исследовательские работы К.Ф.Брауна (Германия) по проводимости различных полупроводников. Х.Денвуди (США) предлагает первую конструкцию кристаллического детектора "корборунд - стальная игла". Пиккард предлагает первый кристаллический детектор на базе кремния: кремний в контакте с металлической проволокой. 1914г. Вальтер Шоттки (Германия) открывает явление уменьшение работы выхода электронов из твёрдых тел (возрастание тока насыщения термоэлектронной эмиссии, уменьшение энергии поверхностной ионизации) под действием внешнего ускоряющего электрического поля ("эффект Шоттки") и разрабатывает теорию этого эффекта. 1922г. (13 января) О.В.Лосев (СССР) осуществляет генерацию и усиление высокочастотных электромагнитных колебаний на отрицательном дифференциальном сопротивлении, созданном точечным контактом металла с полупроводником. 1923г. О.В.Лосев (СССР) открывает явление электролюминесценции, обнаруживая свечение карборунда при прохождении через него электрического тока. Повторное открытие явления, спустя 20 лет, сделает физик Дестрио (США), признав приоритет открытия Лосева ("Losev-light"). 1924г. Журналы "Radio News" и "Radio-Revue" (США) публикуют статьи, посвященные работам Лосева. 1926г. Дж.Лилиенфельд (США) впервые формулирует принцип полевого эффекта в своем патенте, однако предложенные Лилиенфельдом транзисторы не внедряются в производство. Я.И.Френкель (СССР) вводит понятие о подвижных дырках ("дырочная проводимость"). 1929г. Э. Меррит обнаруживает полупроводниковые свойства у германия. 1930г. А. Вильсон создает теорию полупроводников, вводит представление о "донорной" и "акцепторной" проводимости. Г. Дембер открывает явление возникновения фотоэдс в полупроводнике (эффект Дембера). К. Вагнер обнаруживает существование двух типов полупроводников - электронных и дырочных. П. Дирак предлагает теорию "дырок" в полупроводниках. Я.И.Френкель (СССР) предсказывает экситон. Я.И.Френкель (СССР) отмечает, что протекание тока через тонкую изолирующую прослойку, разделяющую два полупроводника, может быть обусловлено туннелированием, которое рассматривается как квантовое явление. Залиг и Тешнер (Франция) впервые рассматривают возможность использования полевого транзистора для управления сигналами большой мощности, причем Тернер предлагает так называемый "гридистор" (по принципу триодной электронной лампы, но твердотельный), а Зулиг - "многоканальный полевой транзистор", имеющий вертикальную структуру, которую впоследствии будет иметь почти каждый мощный полевой транзистор. Вальтер Шоттки (Германия) рассматривает пустые узлы кристаллической решетки, образованные, в отличие от дефектов Френкеля (дислоцированные атомы), без появления атомов в междоузлиях ("дефекты Шоттки"). 1931г. Публикация А.Ф. Иоффе (СССР) "Полупроводники - новые материалы электроники". Уилсон (Англия) создает теоретическую модель полупроводника на основе дискретных энергетических уровней электронов отдельных атомов, которые размываются в непрерывные зоны, разделенные запрещенными зонами (значения энергии, которые электроны не могут принимать). Модель формулируется как "зонная теория полупроводников". 1932г. Исследования В.П.Жузе и Б.В.Курчатова (СССР) собственной и примесной проводимости полупроводников. А.Ф.Иоффе и Я.И.Френкель (СССР) создают теорию выпрямления тока на контакте "металл-полупроводник", основанную на явлении туннелирования. 1934г. Развитие В. Гейзенбергом теории "дырок", предложенной ранее П.Дираком. 1935г. Изобретатель О.Хейл (Англия), получает патент на полевой транзистор - прототип полевого транзистора с изолированным затвором. 1936г. Я.И.Френкель (СССР) разрабатывает теорию экситонов в полупроводниках. 1937г. А.Ф.Иоффе (СССР) формулирует механизм выпрямления на границе полупроводника с металлом и полупроводником. X.Крамерс дополняет предложенную ранее П.Дираком и развитую В.Гейзенбергом теорию "дырок" в полупроводниках. 1938г. Независимо друг от друга, Мотт (Англия), Б.И.Давыдов (СССР) и Вальтер Шоттки (Германия), формулируют теорию выпрямляющего действия контакта металл-полупроводник. 1939г. Вальтер Шоттки (Германия) исследует свойства потенциального барьера, возникающего в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом (граница "металл-полупроводник") и разрабатывает основы теории полупроводниковых диодов с таким барьером (диоды Шоттки). Б.И.Давыдов разрабатывает первую диффузионную теорию выпрямляющего p-n гетероперехода. 1941г. В.И.Лашкарев (Украина, в составе СССР) открывает p-n переход и механизм инжекции носителей. 1942г. В СССР начинается промышленный выпуск полупроводниковых термоэлектрических генераторов для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую энергию. 1946г. Физик В.Е.Лошкарев (СССР) открывает биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. 1947г. (16 декабря) Изобретение первого в мире транзистора (точечный, на базе германия) в лаборатории фирмы Bell Telephone Laboratories (теоретик Джон Бардин и экспериментатор Уолтер Браттейн //США) (23 декабря) Демонстрация первого в мире транзистора в лаборатории фирмы Bell Telephone Laboratories. (23-31 декабря) У.Шокли создает теорию инжекции в транзисторе с p-n переходами, изобретает плоскостной p-n-p транзистор. 1948г. (январь) У.Шокли публикует теорию плоскостных биполярных транзисторов. (июнь) Демонстрация работы первого точечного транзистора в схеме радиоприемника фирмой Bell Telephone Laboratories в Нью-йоркской штаб-квартире (Wall Street, 463). (июль) Публикация в журнале "The Physical Review" о первом транзисторе фирмы Bell Telephone Laboratories, разработанном Д.Бардином и У.Браттейном и названном как "точечный транзистор типа А". 1949г. У.Шокли разрабатывает теорию p-n-перехода (теория Шокли). 1950г. Фирма Texas Instruments решает проблему выращивания монокристаллического кремния. Открытие полупроводниковых свойств материалов типа АIII3ВV исследователями Н.А.Горюновой, Р.Регелем (СССР) и Г.Велькером, независимо друг от друга. Дж. Бардин и У. Шокли вводят представление о потенциале деформации применительно к полупроводникам. А.И.Губанов (СССР) впервые теоретически проанализировал вольтамперные характеристики изотипных и анизотипных гетеропереходов. --------------------------------------------------------------------------------------------------------- (с) 2005г. blackbit