blackbit (15.12.2005 10:12, просмотров: 1) ответил blackbit на Анонсирую: "Кремниевая летопись" Часть I"Кремниевая летопись" Часть II http://upload.caxapa.ru/Chrono_Semiconductor.rar
"Кремниевая летопись" Хронология развития полупроводниковых технологий (версия 1, редакция 1) Часть II 1951г. Созданы германиевые фотодиоды. У. Шокли предсказывает эффект насыщения в полупроводниках. Е.Ф.Гросс и Н.А.Карыев (СССР) экспериментально доказывают существование экситонов. Фирма Bell Telephone Laboratories проводит свою первую конференцию по транзисторам и начинает продавать патентные лицензии на транзисторные технологии Зарождение технорегиона ("Кремниевая долина") в США на территории долины Санта-Клара штата Калифорния: Станфордский университет ввиду нехватки денежных средств, с подачи его вице-президента Ф. Термана, сдает в аренду фирме Varial Associates 1га территории на 99 лет под промышленные нужды. (сентябрь) У.Шотки (США, патент N2569347) предлагает концепцию транзистора с широкозонным эмиттером для получения односторонней инжекции. 1952г. (7 мая) Джеффри Вильям Арнольд Даммер из фирмы Royal Radar Establishment (Англия) выдвигает теоретическое предположение о создании электронных устройств в виде единого блока при помощи полупроводниковых слоев одного и того же материала, в которых создаются усилитель, резистор, емкость и соединенных вырезанными в каждом слое контактными площадками. У.Шокли (США) описывает униполярный (полевой) транзистор с управляющим электродом, состоящим из обратносмещенного p-n - перехода. Э.Шварц (СССР) разрабатывает полупроводниковый термостолбик. 1953г. Начало изготовления транзисторов в промышленных объемах из выращенного кремния. У.Шокли (США) предлагает один из первых методов определения эффективной массы в полупроводниках. 1954г. Начало развития промышленной инфраструктуры Кремниевой долины (США): Уильям Хьюлетт и Дэвид Паккард переносят место расположения своей фирмы на территорию Станфордского индустриального парка. В СССР начинается исследование, разработка и организация промышленного производства силовых полупроводниковых приборов (В.М.Тучкевич, Ж.И.Алферов, И.В.Грехов, В.Е.Челноков, В.Б.Шуман и др.). Осуществлен квантовомеханический расчет зонной структуры германия и кремния (Ф. Херман, Д. Дженкинс). Сконструированы солнечные батареи из последовательно соединенных кремниевых p-n-переходов (Д. Чаплин, К. Фуллер, Дж. Пирсон). У.Шокли (США) закладывает теоретические основы работы инжекционно-пролетных диодов. Созданы кремниевые фотодиоды. 1955г. Начало развития Кремниевой долины (США): У.Шокли увольняется из Bell Telephone Laboratories и основывает здесь компанию Shockley Semiconductor Labs. Открытие стеклообразных полупроводников (Н.А.Горюнова и Б.Т.Коломиец //CCCР). 1956г. Ямагучи (Япония) закладывает основы "индуктивного транзистора" (полупроводниковый аналог индуктивности). 1957г. Инженер Джон Уолмарк (фирма RCA, США) получает патент на полевой транзистор с p-n переходом. Хорни (фирма Fairchild Semiconductor Corporation) разрабатывает технологию планарного процесса производства транзисторов. А.Чиновет и К. Мак-Кей обнаруживают туннелирование в кремниевых переходах с низким порогом пробоя. Л.В.Келдыш разрабатывает теорию туннельного эффекта в полупроводниках. Физик Л. Эсаки (Япония) создает туннельный диод. (октябрь) Теоретические исследования гетероструктур Г.Кремером (США). Предположение о высокой эффективности инжекции гетеропереходов. 1958г. (24 июля) Джэк Ст.Клэир Килби (фирма Texas Insruments, США) формулирует в лабораторном журнале концепцию интегральной микросхемы: Идея монолит (Monolithic Idea). (28 августа) Джэк Ст.Клэир Килби (фирма Texas Insruments, США) демонстрирует макет первой в мире гибридной интегральной микросхемы (триггер), сделанной целиком из полупроводниковых элементов, соединенных золотой проволокой. (12 сентября) Джэк Ст.Клэир Килби (фирма Texas Insruments, США) создает первую в мире монолитную интегральную микросхему на германиевой пластинке длиной в 1см (генератор с фазовым сдвигом). Начало развития КМОП-технологии: М. Аталла (фирма Bell Telephone Laboratories, США) теоретически устанавливает возможность создания МОП-транзистора на кремнии с использованием оксида кремния как подзатворного диэлектрика. Выдвигается идея создания полупроводникового квантового генератора и усилителя (Н.Г. Басов, Б.М. Вул и Ю.М. Попов //СССР). Рид предлагает использовать для генерации СВЧ мощности диод с многосложной n+p-p - структурой (IMPATT-диод (Impact Avalanche and Transit Time)). В СССР принимается решение о создании собственного технорегиона (центра микроэлектроники в составе 6 предприятий с опытными заводами) -постановление о строительстве под Москвой города-спутника (г.Зеленоград). 1959г. (6 марта) Texas Instuments на пресс-конференции в Нью-Йорке демонстрирует первую интегральную микросхему. Роберт Нойс (Fairchild Semiconductor, США) демонстрирует планарный технологический процесс на кремнии (диффузионные резисторы, изоляция обратносмещенны p-n переходом, соединение элементов схемы с помощью напыляемого слоя алюминия на пассивирующем оксиде), позволяющий не только размещать компоненты на пластине, но и формировать соединения между ними в едином технологическом цикле. Впервые обнаружена генерация СВЧ-колебаний при лавинном пробое германия (СССР). 1960г. Роберт Нойс (Fairchild Semiconductor, США) патентует идею монолитной интегральной схемы (Патент США 2981877), изготовливает первые монолитные кремниевые интегральные схемы по планарной технологии. Апелляционный суд США отклоняет заявку Килби. Нойс признается изобретателем и создателем реальной монолитной технологии производства полупроводниковой микросхемы. Джеку Килби отдается приоритет первой идеи. (февраль) Фирма Fairchild Semiconductor (США) выпускает семейство монолитных транзисторно-транзисторных логических элементов с четырьмя и более биполярными транзисторами на одном кристалле кремния ("микрологика"). Р.Л.Андерсон (фирма IBM, США) исследует первый эпитаксиальный монокристаллический гетеропереход Ge-GaAs. 1961г. Начало крупносерийного выпуска двух планарных кремниевых биполярных транзисторов 2N613(n-p-n) и 2N869(p-n-p). Предложена идея первого полупроводникового лазера (СССР). 1962г. Создан первый полупроводниковый лазер (США). Стивен Хофштейн и Фредерик Хеймана делают первую логическую МОП-микросхему из шестнадцати МОП-транзисторов. Обнаружение и фундаментальные исследования стимулированного излучения р-п структур в арсениде галлия (Д.Н.Наследов, А.А.Рогачев, С.М.Рывкин, Б.В.Царенков //СССР). Ник Холоняк изобретает полупроводниковые светодиоды видимого спектра (красный свет). СССР начинает освоение планарной технологии (разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100). 1963г. Хофштейн и Хайман описывают конструкцию полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы). Открыто явление вынужденного испускания света полупроводниками под действием электронного пучка. Дж.Б.Ганн (США) впервые наблюдает генерацию электромагнитных СВЧ-колебаний при приложении постоянного напряжения к кристаллу однородного арсенида галия или фосфида индия (генератор Ганна или диод Ганна). В г.Зеленоград (СССР) создан Центр микроэлектроники. Ж.И.Алферов, Р.Ф.Казаринов (СССР) и Г.Кремер (США), независимо друг от друга, формулируют концепцию полупроводниковых лазеров на основе двойной гетероструктуры. 1965г. Первое сообщение о практической реализации лавинно-пролетного диода (IMPATT-диод (Impact Avalanche and Transit Time)). 1966г. Открытие ТРАПАТТ-режима (ТРАПАТТ-диод: Траpped Plasma Avalanche-and-Transit Time, "лавинно-пролетный диод с захватом плазмы"). ТРАПАТТ-диоды являются дальнейшим развитием идеи лавинно-пролетного диода и оказываются востребованными в фазированных антенных решетках (ФАР). Создание первой решеточно-согласованной AIGaAs-гетероструктуры (идеальные гетероструктуры). Результаты получены одновременно и независимо как в СССР (Ж.И.Алферов и др. - физико-технический институт А.Ф.Иоффе РАН), так и в США (Х.Руппрехт, Дж.Вудол - исследовательский центр им.Т.Уотсона корпорации IBM). 1967г. Диннард (IBM) изобретает однотранзисторную динамическую запоминающую ячейку для запоминающих устройств с произвольной выборкой. В СССР проводятся фундаментальные исследования идеальных гетероструктур полупровдников и разработка на их основе новых полупроводниковых приборов, а также организация их промышленного производства (Ж.И.Алферов, В.М.Андреев, В.И.Корольков, Д.Н.Третьяков, Е.Л.Портной, Д.З.Гарбузов). 1968г. Фирма RCA (по заказу Управления сухопутных войск США, позднее - Министерство ВМС США) публикует результаты исследований и разработки мощного высокочастотного полевого транзистора. PCA осуществляет разработку, не используя идеи Зулига и Тешнера. Ж.И.Алферов с сотрудниками (СССР) предлагает конструкции лазеров на основе гетеропереходов. Рэй Холт и Стив Геллер создают 20-разрядный чип SLF (Special Logic Function) (секретный проект Пентагона, США). Чип содержит АЛУ, декодер инструкций, поддерживает управляющую логику. Чип SLF используется как основа бортового компьютера CADC (Central Air Data Computer) в истребителе F-14 и, по сути, является первым воплощением идеи DSP (процессор обработки цифровых сигналов). 1969г. Нишидзава и Ватанабе (Япония) публикуют результаты исследований по разработке _статического индукционного транзистора_ (СИТ), отличающегося способностью управлять большой мощностью на высоких частотах. Фирма Japanese Electrotechnical Laboratory (Япония) сообщает о создании нового прибора - вертикального V-образного МДП транзистора - его характеристики больше не зависят так жестко от ограниченной точности фотолитографических процессов. Начало продаж интегральных схем памяти фирмой Intel. Ж.И.Алферов (СССР) формулирует и практически реализует свои идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы "арсенид галлия-арсенид алюминия". Создание первого в мире микропроцессора: Маршиан Эдвард Хофф (фирма Intel, США) строит "интегральное микропрограммируемое вычислительное устройство", позже получившее название Intel 4004. 1970г. Впервые в мире разработаны светодиоды (СССР), излучающие свет в зелёной области спектра на гетеропереходе ZnTe-CdSe. (май) Реализован непрерывный режим лазерной генерации на основе полупроводниковых гетероструктур (СССР). Работа П.Эсаки и Р.Цу (США), посвященная исследованию свойств сверхрешеток - нового вида полупроводниковых гетероструктур. Знаменует начало нового раздела физики полупроводников - физики низкоразмерных структур. 1971г. (15 ноября) Начало продаж фирмой Intel (США) первого в мире массового микропроцессора Intel 4004 (топологические нормы: 10мкм). Журналист Д. Хофлер (еженедельник "Электроник ньюс") придумывает для технорегиона в долине Санта-Клара название "Кремниевая Долина", которое быстро закрепляется и формулируется как "конгломерат из нескольких тысяч микроэлектронных фирм, взаимодействующих и взаимозависимых". Впервые была получена генерация в СВЧ диапазоне с помощью инжекционно-пролетных диодов (Barrier Injection Transit Time Diodes - "БАРИТТ-диоды"). Впервые в мире разработан транзистор с широкозонным эмиттером на паре GaAIAs-GaAs (СССР). 1972г. Закрепляется в употреблении термин "микропроцессор". Начало продаж фирмой Texas Instruments (США) первого в мире однокристального микроконтроллера TMS 1000. Впервые в мировой практике создан и запатентован лавинно-пролётный диод на гетеропереходе (CCCР). 1973г. Открытие Деннардом (фирма IBM, США) нового метода проектирования микросхем ("закон масштабирования"), утверждающего, что размеры транзистора можно уменьшать пропорционально без ухудшения его ВАХ (вольт-амперных характеристик). 1974г. (апрель) Фирма Intel (США) осваивает технологию серийного производства микросхем с топологическими нормами 6мкм, выпуская микропроцессор (i8080). Начало производства арсенид-галлиевых микросхем. 1976г. (март) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i8085), выполненный по топологическим нормам 3мкм. 1979г. В лаборатории Bell Labs создают первый цифровой сигнальный процессор (DSP). 1981г. А.И.Екимовым и А.А.Онущенко (СССР) предложены и реализованы первые "полупроводниковые точки" - микрокристаллы соединений AIIBVI, сформированные в стеклянной матрице. 1982г. (февраль) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i80286), выполненный по топологическим нормам 1,5мкм. Начало развития микросистемной техники: К.Петерсон (фирма IBM, США) публикует статью, в которой рассматривает кремний в качестве конструкционного механического материала. 1989г. (9 апреля) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i80486DX), выполненный по топологическим нормам 1мкм. 1990г. Разрабатываются методы создания и исследования спектров квантовых точек - "искусственных атомов" в гетероструктурах полупроводников AIIIBV (Ж.И.Алферов, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов //Россия). Создание полупроводниковых источников синего света. 1991г. Открытие углеродных нанотрубок, как побочных продуктов синтеза фуллерена С60. Фирма NEC изобретает одностенные нанотрубки. 1992г. (3 марта) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i80486DX2), выполненный по топологическим нормам 0,8мкм. Первая публикация, посвященная "напряженному" кремнию. Предсказание зависимости электрических свойств нанотрубок от геометрических параметров на основе квантово-химических расчетов их зонной структуры. 1994г. (7 марта) Фирма Intel (США) выпускает первые в мире микропроцессоры (486DX4 и Pentium P54C (индекс ICOMP - 610, 75МГц)), выполненные по топологическим нормам 0,6мкм. 1995г. (27 марта) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Pentium P54C (ICOMP - 1000, 120МГц)), выполненный по топологическим нормам 0,35мкм. Синтезирование углеродных нанотрубок методом распыления графитовой мишени под воздействием импульсного лазерного излучения в атмосфере инертного (He или Ar) газа. 1997г. (9 сентября) Корпорация Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Intel Pentium MMX (Tillamook) 200-233МГц) for notebooks, выполненный по топологическим нормам 0,25мкм Определена атомная структура и электропроводность для индивидуальных нанотрубок. 1998г. Экспериментальное подтверждение квантово-химического прогноза зависимости электрических свойств нанотрубок от геометрических параметров. 1999г. (4 июня) Корпорация Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Pentium II for notebooks), выполненный по топологическим нормам 0,18мкм. 2001г. (30 января) Корпорация Intel (США) выпускает несколько микропроцессор Intel Pentium III (Tualatin) for notebooks впервые в мире выполненный по топологическим нормам 0,13мкм. Корпорация IBM осваивает технологию создания полевых нанотранзисторов с требуемой шириной запрещенной зоны - NT-FET (nanotube field-effect transistors) Корпорация IBM демонстрирует первый одноэлектронный транзистор (Nanotube Field-Effect Transistors, СNFET). (19 ноября) Корпорация Intel изготавливает транзистор с шириной затвора 15 нанометров и напряжением питания 0,8 В по CMOS-технологии. Время срабатывания - 0,38 пикосекунды. 2002г. (сентябрь) Фирма Peregrine (США) завершенает работы по созданию промышленной технологии изготовления структур КНС ("Кремний На Сапфире") и реализации на таких структурах радиационно-стойких СБИС по КМОП-КНС технологии с проектными нормами 0,5 мкм. (9 сентября) HP Labs (лаборатория Quantum Science Research компании Hewlett-Packard) демонстрируют память на молекулярной электронике. (13 августа) Корпорация Intel (США) объявляет об освоении 90-нанометрового технологического процесса. 2003г. (17 ноября) Intel заявляет о разработке новых материалов транзисторных структур и решении проблем технологических процессов с нормами: 45нм, 32нм и 22нм. (25 ноября) Корпорация Intel (США) объявляет об освоении 65-нанометрового (нм) технологического процесса и выпуске первых микросхем памяти Static Random Access Memory (SRAM) на его основе, но данное производство пока не является массовым. 2004г. (2 февраля) Корпорация Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Intel Pentium 4 (Prescott)), выполненный по топологическим нормам 90нм с применением технологии "напряженный кремний" (июль) Группа физиков из университета Иллинойса в Урбана-Шампейн впервые создает кремниевые элементы, вырабатывающие ток из ультрафиолетового излучения. (май) M.Кой (Ирландия) получает экспериментальное подтверждение ранее теоретически предсказанному магнитному свойству углеродных нанотрубок, которое они приобретают при контакте с ферромагнитными материалами. 2005г. (2 марта) Intel объявляет о создании на основе стандартных полупроводниковых производственных технологий, первого в мире полупроводникового лазера постоянного действия в инфракрасном диапазоне, работающего на эффекте Рамана. (19 августа) Создан первый транзистор, состоящий целиком из углеродных нанотрубок без использования в качестве затвора металлического проводника. (сентябрь-октябрь) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Intel Pentium 4 (Cedar Mill)), выполненный по топологическим нормам 65нм с применением технологии "напряженный кремний" (октябрь) Исследователи из университета штата Иллинойс, США, создают лазер на основе биполярного гетерогенного транзистора, работающий при комнатной температуре с частотой 3 ГГц. (октябрь) Создание первого в мире кремниевого лазера (университет Цинциннати, штат Огайо, США), работающего как в инфракрасном, так и в видимом диапазоне. (ноябрь) Компания NaturalNano (США) разработала метод извлечения нанотрубок из глины. (ноябрь) Создание спинтронного транзистора на базе углеродной нанотрубки (университет Базеля, Швейцария). --------------------------------------------------------------------------------------------------------- (с) 2005г. blackbit
"Кремниевая летопись" Хронология развития полупроводниковых технологий (версия 1, редакция 1) Часть II 1951г. Созданы германиевые фотодиоды. У. Шокли предсказывает эффект насыщения в полупроводниках. Е.Ф.Гросс и Н.А.Карыев (СССР) экспериментально доказывают существование экситонов. Фирма Bell Telephone Laboratories проводит свою первую конференцию по транзисторам и начинает продавать патентные лицензии на транзисторные технологии Зарождение технорегиона ("Кремниевая долина") в США на территории долины Санта-Клара штата Калифорния: Станфордский университет ввиду нехватки денежных средств, с подачи его вице-президента Ф. Термана, сдает в аренду фирме Varial Associates 1га территории на 99 лет под промышленные нужды. (сентябрь) У.Шотки (США, патент N2569347) предлагает концепцию транзистора с широкозонным эмиттером для получения односторонней инжекции. 1952г. (7 мая) Джеффри Вильям Арнольд Даммер из фирмы Royal Radar Establishment (Англия) выдвигает теоретическое предположение о создании электронных устройств в виде единого блока при помощи полупроводниковых слоев одного и того же материала, в которых создаются усилитель, резистор, емкость и соединенных вырезанными в каждом слое контактными площадками. У.Шокли (США) описывает униполярный (полевой) транзистор с управляющим электродом, состоящим из обратносмещенного p-n - перехода. Э.Шварц (СССР) разрабатывает полупроводниковый термостолбик. 1953г. Начало изготовления транзисторов в промышленных объемах из выращенного кремния. У.Шокли (США) предлагает один из первых методов определения эффективной массы в полупроводниках. 1954г. Начало развития промышленной инфраструктуры Кремниевой долины (США): Уильям Хьюлетт и Дэвид Паккард переносят место расположения своей фирмы на территорию Станфордского индустриального парка. В СССР начинается исследование, разработка и организация промышленного производства силовых полупроводниковых приборов (В.М.Тучкевич, Ж.И.Алферов, И.В.Грехов, В.Е.Челноков, В.Б.Шуман и др.). Осуществлен квантовомеханический расчет зонной структуры германия и кремния (Ф. Херман, Д. Дженкинс). Сконструированы солнечные батареи из последовательно соединенных кремниевых p-n-переходов (Д. Чаплин, К. Фуллер, Дж. Пирсон). У.Шокли (США) закладывает теоретические основы работы инжекционно-пролетных диодов. Созданы кремниевые фотодиоды. 1955г. Начало развития Кремниевой долины (США): У.Шокли увольняется из Bell Telephone Laboratories и основывает здесь компанию Shockley Semiconductor Labs. Открытие стеклообразных полупроводников (Н.А.Горюнова и Б.Т.Коломиец //CCCР). 1956г. Ямагучи (Япония) закладывает основы "индуктивного транзистора" (полупроводниковый аналог индуктивности). 1957г. Инженер Джон Уолмарк (фирма RCA, США) получает патент на полевой транзистор с p-n переходом. Хорни (фирма Fairchild Semiconductor Corporation) разрабатывает технологию планарного процесса производства транзисторов. А.Чиновет и К. Мак-Кей обнаруживают туннелирование в кремниевых переходах с низким порогом пробоя. Л.В.Келдыш разрабатывает теорию туннельного эффекта в полупроводниках. Физик Л. Эсаки (Япония) создает туннельный диод. (октябрь) Теоретические исследования гетероструктур Г.Кремером (США). Предположение о высокой эффективности инжекции гетеропереходов. 1958г. (24 июля) Джэк Ст.Клэир Килби (фирма Texas Insruments, США) формулирует в лабораторном журнале концепцию интегральной микросхемы: Идея монолит (Monolithic Idea). (28 августа) Джэк Ст.Клэир Килби (фирма Texas Insruments, США) демонстрирует макет первой в мире гибридной интегральной микросхемы (триггер), сделанной целиком из полупроводниковых элементов, соединенных золотой проволокой. (12 сентября) Джэк Ст.Клэир Килби (фирма Texas Insruments, США) создает первую в мире монолитную интегральную микросхему на германиевой пластинке длиной в 1см (генератор с фазовым сдвигом). Начало развития КМОП-технологии: М. Аталла (фирма Bell Telephone Laboratories, США) теоретически устанавливает возможность создания МОП-транзистора на кремнии с использованием оксида кремния как подзатворного диэлектрика. Выдвигается идея создания полупроводникового квантового генератора и усилителя (Н.Г. Басов, Б.М. Вул и Ю.М. Попов //СССР). Рид предлагает использовать для генерации СВЧ мощности диод с многосложной n+p-p - структурой (IMPATT-диод (Impact Avalanche and Transit Time)). В СССР принимается решение о создании собственного технорегиона (центра микроэлектроники в составе 6 предприятий с опытными заводами) -постановление о строительстве под Москвой города-спутника (г.Зеленоград). 1959г. (6 марта) Texas Instuments на пресс-конференции в Нью-Йорке демонстрирует первую интегральную микросхему. Роберт Нойс (Fairchild Semiconductor, США) демонстрирует планарный технологический процесс на кремнии (диффузионные резисторы, изоляция обратносмещенны p-n переходом, соединение элементов схемы с помощью напыляемого слоя алюминия на пассивирующем оксиде), позволяющий не только размещать компоненты на пластине, но и формировать соединения между ними в едином технологическом цикле. Впервые обнаружена генерация СВЧ-колебаний при лавинном пробое германия (СССР). 1960г. Роберт Нойс (Fairchild Semiconductor, США) патентует идею монолитной интегральной схемы (Патент США 2981877), изготовливает первые монолитные кремниевые интегральные схемы по планарной технологии. Апелляционный суд США отклоняет заявку Килби. Нойс признается изобретателем и создателем реальной монолитной технологии производства полупроводниковой микросхемы. Джеку Килби отдается приоритет первой идеи. (февраль) Фирма Fairchild Semiconductor (США) выпускает семейство монолитных транзисторно-транзисторных логических элементов с четырьмя и более биполярными транзисторами на одном кристалле кремния ("микрологика"). Р.Л.Андерсон (фирма IBM, США) исследует первый эпитаксиальный монокристаллический гетеропереход Ge-GaAs. 1961г. Начало крупносерийного выпуска двух планарных кремниевых биполярных транзисторов 2N613(n-p-n) и 2N869(p-n-p). Предложена идея первого полупроводникового лазера (СССР). 1962г. Создан первый полупроводниковый лазер (США). Стивен Хофштейн и Фредерик Хеймана делают первую логическую МОП-микросхему из шестнадцати МОП-транзисторов. Обнаружение и фундаментальные исследования стимулированного излучения р-п структур в арсениде галлия (Д.Н.Наследов, А.А.Рогачев, С.М.Рывкин, Б.В.Царенков //СССР). Ник Холоняк изобретает полупроводниковые светодиоды видимого спектра (красный свет). СССР начинает освоение планарной технологии (разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100). 1963г. Хофштейн и Хайман описывают конструкцию полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзисторы). Открыто явление вынужденного испускания света полупроводниками под действием электронного пучка. Дж.Б.Ганн (США) впервые наблюдает генерацию электромагнитных СВЧ-колебаний при приложении постоянного напряжения к кристаллу однородного арсенида галия или фосфида индия (генератор Ганна или диод Ганна). В г.Зеленоград (СССР) создан Центр микроэлектроники. Ж.И.Алферов, Р.Ф.Казаринов (СССР) и Г.Кремер (США), независимо друг от друга, формулируют концепцию полупроводниковых лазеров на основе двойной гетероструктуры. 1965г. Первое сообщение о практической реализации лавинно-пролетного диода (IMPATT-диод (Impact Avalanche and Transit Time)). 1966г. Открытие ТРАПАТТ-режима (ТРАПАТТ-диод: Траpped Plasma Avalanche-and-Transit Time, "лавинно-пролетный диод с захватом плазмы"). ТРАПАТТ-диоды являются дальнейшим развитием идеи лавинно-пролетного диода и оказываются востребованными в фазированных антенных решетках (ФАР). Создание первой решеточно-согласованной AIGaAs-гетероструктуры (идеальные гетероструктуры). Результаты получены одновременно и независимо как в СССР (Ж.И.Алферов и др. - физико-технический институт А.Ф.Иоффе РАН), так и в США (Х.Руппрехт, Дж.Вудол - исследовательский центр им.Т.Уотсона корпорации IBM). 1967г. Диннард (IBM) изобретает однотранзисторную динамическую запоминающую ячейку для запоминающих устройств с произвольной выборкой. В СССР проводятся фундаментальные исследования идеальных гетероструктур полупровдников и разработка на их основе новых полупроводниковых приборов, а также организация их промышленного производства (Ж.И.Алферов, В.М.Андреев, В.И.Корольков, Д.Н.Третьяков, Е.Л.Портной, Д.З.Гарбузов). 1968г. Фирма RCA (по заказу Управления сухопутных войск США, позднее - Министерство ВМС США) публикует результаты исследований и разработки мощного высокочастотного полевого транзистора. PCA осуществляет разработку, не используя идеи Зулига и Тешнера. Ж.И.Алферов с сотрудниками (СССР) предлагает конструкции лазеров на основе гетеропереходов. Рэй Холт и Стив Геллер создают 20-разрядный чип SLF (Special Logic Function) (секретный проект Пентагона, США). Чип содержит АЛУ, декодер инструкций, поддерживает управляющую логику. Чип SLF используется как основа бортового компьютера CADC (Central Air Data Computer) в истребителе F-14 и, по сути, является первым воплощением идеи DSP (процессор обработки цифровых сигналов). 1969г. Нишидзава и Ватанабе (Япония) публикуют результаты исследований по разработке _статического индукционного транзистора_ (СИТ), отличающегося способностью управлять большой мощностью на высоких частотах. Фирма Japanese Electrotechnical Laboratory (Япония) сообщает о создании нового прибора - вертикального V-образного МДП транзистора - его характеристики больше не зависят так жестко от ограниченной точности фотолитографических процессов. Начало продаж интегральных схем памяти фирмой Intel. Ж.И.Алферов (СССР) формулирует и практически реализует свои идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы "арсенид галлия-арсенид алюминия". Создание первого в мире микропроцессора: Маршиан Эдвард Хофф (фирма Intel, США) строит "интегральное микропрограммируемое вычислительное устройство", позже получившее название Intel 4004. 1970г. Впервые в мире разработаны светодиоды (СССР), излучающие свет в зелёной области спектра на гетеропереходе ZnTe-CdSe. (май) Реализован непрерывный режим лазерной генерации на основе полупроводниковых гетероструктур (СССР). Работа П.Эсаки и Р.Цу (США), посвященная исследованию свойств сверхрешеток - нового вида полупроводниковых гетероструктур. Знаменует начало нового раздела физики полупроводников - физики низкоразмерных структур. 1971г. (15 ноября) Начало продаж фирмой Intel (США) первого в мире массового микропроцессора Intel 4004 (топологические нормы: 10мкм). Журналист Д. Хофлер (еженедельник "Электроник ньюс") придумывает для технорегиона в долине Санта-Клара название "Кремниевая Долина", которое быстро закрепляется и формулируется как "конгломерат из нескольких тысяч микроэлектронных фирм, взаимодействующих и взаимозависимых". Впервые была получена генерация в СВЧ диапазоне с помощью инжекционно-пролетных диодов (Barrier Injection Transit Time Diodes - "БАРИТТ-диоды"). Впервые в мире разработан транзистор с широкозонным эмиттером на паре GaAIAs-GaAs (СССР). 1972г. Закрепляется в употреблении термин "микропроцессор". Начало продаж фирмой Texas Instruments (США) первого в мире однокристального микроконтроллера TMS 1000. Впервые в мировой практике создан и запатентован лавинно-пролётный диод на гетеропереходе (CCCР). 1973г. Открытие Деннардом (фирма IBM, США) нового метода проектирования микросхем ("закон масштабирования"), утверждающего, что размеры транзистора можно уменьшать пропорционально без ухудшения его ВАХ (вольт-амперных характеристик). 1974г. (апрель) Фирма Intel (США) осваивает технологию серийного производства микросхем с топологическими нормами 6мкм, выпуская микропроцессор (i8080). Начало производства арсенид-галлиевых микросхем. 1976г. (март) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i8085), выполненный по топологическим нормам 3мкм. 1979г. В лаборатории Bell Labs создают первый цифровой сигнальный процессор (DSP). 1981г. А.И.Екимовым и А.А.Онущенко (СССР) предложены и реализованы первые "полупроводниковые точки" - микрокристаллы соединений AIIBVI, сформированные в стеклянной матрице. 1982г. (февраль) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i80286), выполненный по топологическим нормам 1,5мкм. Начало развития микросистемной техники: К.Петерсон (фирма IBM, США) публикует статью, в которой рассматривает кремний в качестве конструкционного механического материала. 1989г. (9 апреля) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i80486DX), выполненный по топологическим нормам 1мкм. 1990г. Разрабатываются методы создания и исследования спектров квантовых точек - "искусственных атомов" в гетероструктурах полупроводников AIIIBV (Ж.И.Алферов, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов //Россия). Создание полупроводниковых источников синего света. 1991г. Открытие углеродных нанотрубок, как побочных продуктов синтеза фуллерена С60. Фирма NEC изобретает одностенные нанотрубки. 1992г. (3 марта) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (i80486DX2), выполненный по топологическим нормам 0,8мкм. Первая публикация, посвященная "напряженному" кремнию. Предсказание зависимости электрических свойств нанотрубок от геометрических параметров на основе квантово-химических расчетов их зонной структуры. 1994г. (7 марта) Фирма Intel (США) выпускает первые в мире микропроцессоры (486DX4 и Pentium P54C (индекс ICOMP - 610, 75МГц)), выполненные по топологическим нормам 0,6мкм. 1995г. (27 марта) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Pentium P54C (ICOMP - 1000, 120МГц)), выполненный по топологическим нормам 0,35мкм. Синтезирование углеродных нанотрубок методом распыления графитовой мишени под воздействием импульсного лазерного излучения в атмосфере инертного (He или Ar) газа. 1997г. (9 сентября) Корпорация Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Intel Pentium MMX (Tillamook) 200-233МГц) for notebooks, выполненный по топологическим нормам 0,25мкм Определена атомная структура и электропроводность для индивидуальных нанотрубок. 1998г. Экспериментальное подтверждение квантово-химического прогноза зависимости электрических свойств нанотрубок от геометрических параметров. 1999г. (4 июня) Корпорация Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Pentium II for notebooks), выполненный по топологическим нормам 0,18мкм. 2001г. (30 января) Корпорация Intel (США) выпускает несколько микропроцессор Intel Pentium III (Tualatin) for notebooks впервые в мире выполненный по топологическим нормам 0,13мкм. Корпорация IBM осваивает технологию создания полевых нанотранзисторов с требуемой шириной запрещенной зоны - NT-FET (nanotube field-effect transistors) Корпорация IBM демонстрирует первый одноэлектронный транзистор (Nanotube Field-Effect Transistors, СNFET). (19 ноября) Корпорация Intel изготавливает транзистор с шириной затвора 15 нанометров и напряжением питания 0,8 В по CMOS-технологии. Время срабатывания - 0,38 пикосекунды. 2002г. (сентябрь) Фирма Peregrine (США) завершенает работы по созданию промышленной технологии изготовления структур КНС ("Кремний На Сапфире") и реализации на таких структурах радиационно-стойких СБИС по КМОП-КНС технологии с проектными нормами 0,5 мкм. (9 сентября) HP Labs (лаборатория Quantum Science Research компании Hewlett-Packard) демонстрируют память на молекулярной электронике. (13 августа) Корпорация Intel (США) объявляет об освоении 90-нанометрового технологического процесса. 2003г. (17 ноября) Intel заявляет о разработке новых материалов транзисторных структур и решении проблем технологических процессов с нормами: 45нм, 32нм и 22нм. (25 ноября) Корпорация Intel (США) объявляет об освоении 65-нанометрового (нм) технологического процесса и выпуске первых микросхем памяти Static Random Access Memory (SRAM) на его основе, но данное производство пока не является массовым. 2004г. (2 февраля) Корпорация Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Intel Pentium 4 (Prescott)), выполненный по топологическим нормам 90нм с применением технологии "напряженный кремний" (июль) Группа физиков из университета Иллинойса в Урбана-Шампейн впервые создает кремниевые элементы, вырабатывающие ток из ультрафиолетового излучения. (май) M.Кой (Ирландия) получает экспериментальное подтверждение ранее теоретически предсказанному магнитному свойству углеродных нанотрубок, которое они приобретают при контакте с ферромагнитными материалами. 2005г. (2 марта) Intel объявляет о создании на основе стандартных полупроводниковых производственных технологий, первого в мире полупроводникового лазера постоянного действия в инфракрасном диапазоне, работающего на эффекте Рамана. (19 августа) Создан первый транзистор, состоящий целиком из углеродных нанотрубок без использования в качестве затвора металлического проводника. (сентябрь-октябрь) Фирма Intel (США) выпускает первый в мире микропроцессор (Intel Pentium 4 (Cedar Mill)), выполненный по топологическим нормам 65нм с применением технологии "напряженный кремний" (октябрь) Исследователи из университета штата Иллинойс, США, создают лазер на основе биполярного гетерогенного транзистора, работающий при комнатной температуре с частотой 3 ГГц. (октябрь) Создание первого в мире кремниевого лазера (университет Цинциннати, штат Огайо, США), работающего как в инфракрасном, так и в видимом диапазоне. (ноябрь) Компания NaturalNano (США) разработала метод извлечения нанотрубок из глины. (ноябрь) Создание спинтронного транзистора на базе углеродной нанотрубки (университет Базеля, Швейцария). --------------------------------------------------------------------------------------------------------- (с) 2005г. blackbit