ARM, RISC-V контроллеры

Т.е. другими словами нет никакой пропорциональной зависимости между между толщиной технологии и радиационной стойкостью? Ну тогда я как и обещал, пасую, чтобы избежать базара. Ибо не Вы, ни я не являемся здесь профессионалами. По ЦОС я бы с Вами http://www.russianelectronics.ru/leader-r/review/2192/doc/49818/
поспорил, а тут не интересно - Вы не можете ничего умного сказать, а мне нечего Вам умного ответить. Кстати, вот, что думают по данному вопросу настоящие спецы (автора статьи, кстати, я немного знаю, встречался с ним несколько раз, он разрабатывал КОМДИВ) В статье приведен краткий обзор зарубежных и отечественных микропроцессоров, стойких к воздействию радиационных факторов космического пространства. Во всех из них применены специальные схемотехнические, технологические и топологические решения для того, чтобы обеспечить требуемый уровень стойкость. Разработка таких решения является весьма трудоемким и дорогостоящим процессом, в связи с чем стоимость микропроцессоров для космических применений составляет десятки тысяч долларов за штуку, что в сотни раз выше коммерческих аналогов. Рассмотрены показатели стойкости к одиночным сбоям, накопленной дозе и эффекту тиристорной защелки. Необходимо отметить, что помимо перечисленных основных эффектов, существуют и другие, например эффекты множественных сбоев, эффект выгорания подзатворного диэлектрика, микродозовый эффект и др., изучение которых ведется достаточно активно, но их влияние начинает ощутимо проявляться только при уменьшении проектных норм от 180 нм. Данное обстоятельство является одной из причин того, что наиболее совершенной технологией, применяемой при проектировании микропроцессоров для космических применений, является технология 0,25 мкм, и ведущие мировые компании только начинают осваивать уровень 0,15 мкм для космических применений, тогда как для коммерческих схем применяются технологические уровни до 32 нм и активно осваиваются новые технологические рубежи.