Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Вторник
26 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
536066
Топик полностью
Vladimir Ljaschko
(03.08.2014 03:27, просмотров: 106)
ответил
De_User
на
Если включить параллельно два MOSFET IRFP4229, снизится ли мощность на каждом на фронтах ШИМ? (коммутация тока 8...10А при напряжении 120В) Управление от одного мощного дравера - MIC4452 (12A, 25 nS rise/fall times).
С какого перепугу она снизится, если наоборот, постоянная времени заряда/разряда емкости затворов увеличится вдвое?
Ответить
Не совсем так. Есть же ограничение на min Rgate - при дальнейшем уменьшении возникает "звон" и паразитные колебания на Drain. Для IRFP4229 Trise/Tfall 27/19 nS при Rgate = 5R, по расчётам для моей ПП не менее 3 Ом. MIC4452 легко два потянет!
De_User
(22 знак., 03.08.2014 03:53
)