ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
26 ноября
62690 Топик полностью
FDA (12.07.2006 10:05, просмотров: 1) ответил General на Новый тип памяти - MRAM (Magnetoresistive random access memory) - Магниторезистивная память с произвольной выборкой.
Прикольно! Я сейчас начинаю заменять обычные I2C FLASH микросхемами от Ramtron. Красота! Пишу любой байт по любому адресу, как тебе захочется! Никаких задержек не надо! Другое дело раньше было! У обычных флешек только 100 тыс. перезаписываний, да и то с задержкой на десяток миллисекунд! Чтобы лишний раз флешку не тереть приходилось проверять, не содержит ли страница памяти уже таких данных. Записывать желательно было тоже только целую страницу! Я лет пять назад пытался найти ОЗУ с интерефейсом I2C. Нашёл только у Филипса какую-то микруху со смешным объёмом в 256 байт. Рамтроновских флешек тогда то ли ещё не было, то ли не смогли их достать. Вобщем пришлошь делать что-то типа эмулятора I2C ОЗУ на PIC16F876 и обычном паралельном ОЗУ 62256. Вот такие вот дела. А сейчас всё просто! Технология, одлнако! :-)