Где-то читал, на одном из форумов, что у современных силовых биполярных транзисторов с высоким усилением и низким напряжением насыщения в активном режиме сильнее эффект шнурования тока. С большей вероятностью образуются зоны локального перегрева. И из-за этого они не рекомендуются к применению в активном режиме.