Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Среда
27 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
757945
Топик полностью
Andreas
(23.05.2017 13:05, просмотров: 89)
ответил
Nikolay_Po
на
Где-то читал, на одном из форумов, что у современных силовых биполярных транзисторов с высоким усилением и низким напряжением насыщения в активном режиме сильнее эффект шнурования тока. С большей вероятностью образуются зоны локального перегрева.
У ЛИ была хорошая статья на эту тему, но по мосфетам.
Ответить