-
- Переходные процесы в нагрузке изучи вынимательно - и получишь результат - =L.A.=(28.08.2017 19:04)
- Если мост на простых полевиках, увеличение мертвого времени хоть до бесконечности мало поможет от сквозного тока. Причина в медленном встроенном обратном диоде полевиков, при открывании противоположного плеча диод запирается далеко не сразу, и Yurasvs(1160 знак., 28.08.2017 17:08 - 17:34)
- Вероятно это должно зависеть от нагрузки. Обычная индуктивная нагрузка при закрывании транзистора открывает диод у противоположного транзистора, который потом шунтируется открытым транзистором. Т.е. такого эффекта быть не должно. Или я ошибаюсь? - AlexBi(28.08.2017 17:40)
- С закрыванием проблем нет. А вот с открыванием есть. Предположим, что ток течет через обратный диод нижнего транзистора за счет индуктивности нагрузки. Сам нижний транзистор давно закрыт, но это ничего не меняет. При открывании верхнего Yurasvs(615 знак., 28.08.2017 18:04)
- Обычная индуктивность не создаст такую исходную ситуацию. Т.е. если шагнуть по времени назад, то был открыт нижний транзистор, через него тек ток, все диоды закрыты. Потом нижний транзистор закрылся (началось мертвое время), ток через AlexBi(117 знак., 28.08.2017 18:15)
- А дальше что? Прошло время, закрыли верхний транзистор, ток обратно перешел на его диод (нагрузка индуктивная, в ней ток считаем неизменным в течение многих периодов). Дальше надо открывать нижний транзистор, и тут происходит жопа (то, что я Yurasvs(405 знак., 28.08.2017 20:00)
- Все же мы о разных нагрузках моста. Ваш вариант, как мне кажется, это мотор или НЧ трансформатор, в которых ток меняется сравнительно медленно, может не изменить направление за время одного цикла. Мой вариант - это ВЧ трансформатор или фильтр, ток AlexBi_(20 знак., 28.08.2017 22:20, )
- Тогда все ясно, у Вас (квази)резонансная схема. Там возможна коммутация без потерь. - Yurasvs(29.08.2017 00:07)
- Все же мы о разных нагрузках моста. Ваш вариант, как мне кажется, это мотор или НЧ трансформатор, в которых ток меняется сравнительно медленно, может не изменить направление за время одного цикла. Мой вариант - это ВЧ трансформатор или фильтр, ток AlexBi_(20 знак., 28.08.2017 22:20, )
- А дальше что? Прошло время, закрыли верхний транзистор, ток обратно перешел на его диод (нагрузка индуктивная, в ней ток считаем неизменным в течение многих периодов). Дальше надо открывать нижний транзистор, и тут происходит жопа (то, что я Yurasvs(405 знак., 28.08.2017 20:00)
- Обычная индуктивность не создаст такую исходную ситуацию. Т.е. если шагнуть по времени назад, то был открыт нижний транзистор, через него тек ток, все диоды закрыты. Потом нижний транзистор закрылся (началось мертвое время), ток через AlexBi(117 знак., 28.08.2017 18:15)
- С закрыванием проблем нет. А вот с открыванием есть. Предположим, что ток течет через обратный диод нижнего транзистора за счет индуктивности нагрузки. Сам нижний транзистор давно закрыт, но это ничего не меняет. При открывании верхнего Yurasvs(615 знак., 28.08.2017 18:04)
- Вероятно это должно зависеть от нагрузки. Обычная индуктивная нагрузка при закрывании транзистора открывает диод у противоположного транзистора, который потом шунтируется открытым транзистором. Т.е. такого эффекта быть не должно. Или я ошибаюсь? - AlexBi(28.08.2017 17:40)
- А вот в Москве выражение " deadtime в мостовых" означает "10 сентября 2017г." - до этого дня надо все мостовые успеть заложить плиткой. - Крок(28.08.2017 17:02)
- Он таки дед Лайн, а не дед Тайм. Хотя и так и эдак странное имя, конечно. - SciFi(28.08.2017 17:07)
- Берем заряд затвора Q и выходной ток драйвера I, тогда T > Q/I - Visitor(28.08.2017 07:29)
- чего-то совсем мало получается - 25 нсек (100 нС и 4А). Но похоже в последнем варианте у меня почти верно - 80нсек. Я подозревал, что больше 100нсек нельзя. - Лагунов(28.08.2017 08:03)
- В драйвере IRS20124 дидтайм задается в пределах 15..45 нСек. - Visitor(28.08.2017 08:06)
- чего-то совсем мало получается - 25 нсек (100 нС и 4А). Но похоже в последнем варианте у меня почти верно - 80нсек. Я подозревал, что больше 100нсек нельзя. - Лагунов(28.08.2017 08:03)
- "чем будет плохо?", при индуктивной нагрузке ток потечет не через канал, а через диод. Соответственно выделение тепла будет больше. В многофазных инверторах при определенных законах формирования шима тоже есть трудности - IBAH(27.08.2017 19:52)
- да, я уже понял. Греться будет больше, КПД меньше. Хотя гарантировано уйдут сквозные токи. - Лагунов(28.08.2017 07:58)
- Основным недостатком векторной ШИМ является невозможность реализации IBAH(1295 знак., 28.08.2017 09:30, ссылка)
- Дидтайм на КПД почти не влияет. Пиковая мощность снижается. - Visitor(28.08.2017 08:31)
- да, я уже понял. Греться будет больше, КПД меньше. Хотя гарантировано уйдут сквозные токи. - Лагунов(28.08.2017 07:58)
- Обычно выбирают подумав, рассчитав, замерив и ещё раз подумав. - De_User(27.08.2017 17:35)
- я бы замерил. Но что? Речь про DC-DC. Измеряем КПД? - Лагунов(28.08.2017 07:57)
- Массогабаритное совершенство упадет, стоимость вырастет. - ASDFS(27.08.2017 16:49 - 17:23)
- стоимость чего? Как поведет себя дроссель, которого уже оторвали от верхнего ключа (он гарантировано заперт) но еще не подключили к нижнему? Ток же должен течь куда-то. О-о-о! Так ведь через встроенные диоды? И потом уже ключ подхватит? - Лагунов(28.08.2017 07:56)
- Точно. Плюс рост дедтайма это еще и частотка ниже. Значит моточные толще, радиаторы больше, транзюки греются, кандюки тоже в плюс. Ну и тэпэ. - ASDFS(28.08.2017 13:23)
- но я всё же мандражирую не в микросекундах. У меня при периоде в 4 мксек речь идет о выборе ДТ между 80 и 150 нсек. - Лагунов(28.08.2017 15:46)
- Если токи слишком велики и их протекание через обратные диоды чревато знатным перегревом - тогда можно запариться с выбором ДТ. Если же эти потери приемлемы то нефиг париться и выбирай побольше. - ASDFS(28.08.2017 17:04)
- 40 ампер в дроссель, через диод транзистора действительно неохота и чревато пускать такой ток. Хочется его вовремя открыть. - Лагунов(29.08.2017 11:11)
- Хрен там теоретические выкладки помогут - осциллограмму в студию! И что это за встроенный диод такой, у которого допустимый (импульсный) ток меньше чем у MOSFET? AU08(137 знак., 29.08.2017 12:29 - 12:38, ссылка)
- почему ток диода меньше чем у МОСФЕТ? Одинаковые. Но у диода падение на 40А больше 0,9В, а у транзистора 0,5В. То бишь лишние потери, пока транзистор не открою. - Лагунов(29.08.2017 15:20 - 15:23)
- Та шо Вы переживаете за эти потери проводимости диода? Он же работает мизерный промежуток времени за период. Лучше о времени обратного восстановления задумайтесь, это на 2 порядка важнее. - Yurasvs(29.08.2017 19:49)
- На транзисторе 0,5В? Это УГ, а не транзистор. - SciFi(29.08.2017 15:24)
- к сожалению ничего дешевого не нашел в корпусе ТО-3, с током > 50А и напряжением 120В. Да еще чтобы наносекунды меньше 100. И при всем при том Rds<13 мОм. А иначе как 0,5В при токе 40А? - Лагунов(29.08.2017 18:26)
- Обычно ключи параллельно включают на такие токи (40А). Какой тип планируется использовать? - AU08(30.08.2017 06:36)
- IRFP4321. Есть вариант и два в параллель. Но сильно давит жаба, хочется дешевле. :-) - Лагунов(30.08.2017 07:25)
- Ну и вообще-то там не наносекунды, а нанокулоны. Стыдитесь :-) - SciFi(29.08.2017 18:30)
- при моем периоде не более 4 мксек важней как раз наносекунды. - Лагунов(29.08.2017 18:54)
- Просто я недавно применил вот такое, но там 20В, конечно --> - SciFi(29.08.2017 18:29, ссылка)
- Обычно ключи параллельно включают на такие токи (40А). Какой тип планируется использовать? - AU08(30.08.2017 06:36)
- к сожалению ничего дешевого не нашел в корпусе ТО-3, с током > 50А и напряжением 120В. Да еще чтобы наносекунды меньше 100. И при всем при том Rds<13 мОм. А иначе как 0,5В при токе 40А? - Лагунов(29.08.2017 18:26)
- почему ток диода меньше чем у МОСФЕТ? Одинаковые. Но у диода падение на 40А больше 0,9В, а у транзистора 0,5В. То бишь лишние потери, пока транзистор не открою. - Лагунов(29.08.2017 15:20 - 15:23)
- Тогда на холостом посмотреть осциллограммку. А если осцилла нет - померять ток потребления для обоих ДТ. - ASDFS(29.08.2017 11:47)
- ну что экспериментально подбирать - я понял. Думал, что может тут наука какая... - Лагунов(29.08.2017 15:14)
- Хрен там теоретические выкладки помогут - осциллограмму в студию! И что это за встроенный диод такой, у которого допустимый (импульсный) ток меньше чем у MOSFET? AU08(137 знак., 29.08.2017 12:29 - 12:38, ссылка)
- 40 ампер в дроссель, через диод транзистора действительно неохота и чревато пускать такой ток. Хочется его вовремя открыть. - Лагунов(29.08.2017 11:11)
- Если токи слишком велики и их протекание через обратные диоды чревато знатным перегревом - тогда можно запариться с выбором ДТ. Если же эти потери приемлемы то нефиг париться и выбирай побольше. - ASDFS(28.08.2017 17:04)
- но я всё же мандражирую не в микросекундах. У меня при периоде в 4 мксек речь идет о выборе ДТ между 80 и 150 нсек. - Лагунов(28.08.2017 15:46)
- Точно. Плюс рост дедтайма это еще и частотка ниже. Значит моточные толще, радиаторы больше, транзюки греются, кандюки тоже в плюс. Ну и тэпэ. - ASDFS(28.08.2017 13:23)
- стоимость чего? Как поведет себя дроссель, которого уже оторвали от верхнего ключа (он гарантировано заперт) но еще не подключили к нижнему? Ток же должен течь куда-то. О-о-о! Так ведь через встроенные диоды? И потом уже ключ подхватит? - Лагунов(28.08.2017 07:56)
- Написали бы в % от DC или частоты тактирования. saifullin2(151 знак., 27.08.2017 17:05)