Навел тут меня вопрос насчет устойчивости памяти на мысль с русле РЭБ - наши процессора оказались неустойчивы (сбоили) к частотам наведенного электромагнитного поля совпадающим с внутренними частотами процессора (и их вторыми гармониками), напряженность поля порядка 10-30 В на метр..