Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Среда
27 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
809164
Топик полностью
Лагунов
(12.01.2018 19:35, просмотров: 102)
ответил
AU08
на
Таки да, у мощных MOSFET "крутизна" (Forward Transconductance) от 20 до 130 A/В, поэтому достаточно колебаний с двойным размахом до 500 мВ на затворе, чтобы получить максимальную амплитуду генерации на стоке.
мен обещали 45 A/В вместо 130 - посмотрю...
Ответить