Схемы, платы, компоненты

Оснастили свой прибор ККМом на 3.5кВт. Схема стандартная бустерная. Частота 100кГц. Диод карбидкремниевый. В опытном образце стоял довольно медленный, но мощный МОСФЕТ, грузили более 4кВт, работало долго без нареканий. В серию собрались ставить IPW60R040C7. Первый же собранный экземпляр на этом транзисторе устроил фейерверк через несколько минут работы под нагрузкой, пробило диод и транзистор, от обратного разрядного тока выходных конденсаторов отгорела дорожка. Анализ показал, что новый транзистор слишком быстрый, коммутируется намного быстрее прежнего при том же сопротивлении в цепи затвора (3 Ом). Поставил в затвор резистор 25 Ом, а параллельно ему цепочку из резистора 3 Ома и диода Шоттки в обратном включении. Стало более менее похоже по скорости, но начала сильно влиять емкость Миллера. Вот осциллограмма тока дросселя (желтая,снята с безындуктивного шунта внизу, поэтому перевернута, увеличению тока соответствует перемещение луча вниз. Почему такие большие всплески при переключениях, до конца не ясно, перезарядка паразитных емкостей не должна столько давать, обратное восстановление у карбида кремния почти отсутствует, возможно наводки на кабель осциллографа). Розовая - напряжение на ключе: http://i.piccy.inf …8/1260666/SDS00009.png Более крупно фронт и спад: http://i.piccy.inf …9/1260666/SDS00010.png http://i.piccy.inf …4/1260666/SDS00011.png Вот осциллограмма напряжения на затворе на фоне того же тока: http://i.piccy.inf …7/1260666/SDS00014.png Видно, что вместо классической полки (которая, кстати, была со старым транзистором) наблюдаем провал напряжения на затворе ниже нуля при начале открытия транзистора (емкость Миллера перетягивает драйвер). То есть этот затворный резистор слишком велик, затвор контролируется плохо, боюсь опять стрельнет. Как мне корректно замедлить работу МОСФЕТа, зашунтировать затвор-исток емкостью в несколько тысяч пФ с соответствующим уменьшением сопротивлений? Драйвер мощный, позволяет если что. Какие либо другие простые способы есть? Дополнительные активные элементы ставить нежелательно, места на плате мало. Остается загадкой и причина выгорания карбидкремниевого диода при высоких скоростях коммутации, вроде у них ограничение на скорость намного выше обычных диодов. Дорожки на плате короткие, паразитная индуктивность вряд ли является причиной. Прошу высказать любые мнения.