Toчкa oпopы (10.04.2022 19:44, просмотров: 319) ответил Vit на Возвращаясь к "идеальным дидам" - напомните, плиз, сильно ли
отличаются UBE и UBC? Внутренностями DZDH0401DW навеяло, где один из транзисторов,
который в диодном включении, нарисован просто диодом. Причем это
чудо до 40 В держит и о пробое ЭБ никто вроде не говорит (ибо
диод). Вспоминается борьба борьбическая с добавлением внешнего
диода. А может, там просто транзистор в другом диодном включении -
БК?1. Изо всех сил стараюсь не кормить троллей. 2. Продаю импортные ЭК - https://shop.fulcrum.ru/buy
-
- Спасибо! BC337 в DS от Fairchild указан как эпитаксиальный.
Аналогично BC807 от Fairchild и Diodes. SS8550 в современном DS от
OnSemi и некоторые кетайцы *MBT8550 пишут, что тоже такие. Пока
заложусь на BC807-40 - посмотрим - Vit(10.04.2022 20:36)
- Современные биполярные транзисторы, наверняка, все эпитаксиальные.
Имеется ввиду, что на низкоомной кремниевой подложке метолом
эпитаксии выращен высокомощный кремний нужной толщины. Далее
диффузией или ионной имплантацией изготавливаются области базы и
эмиттера. Поскольку переходы базы и эмиттера выходят на поверхность
кристалла, транзистор называется эпитаксиальнопланарным. Эсли
область базы выполнить эпитаксией, будет транзистор с
эпитаксиальноц базой. Для обеспечения pmm_(288 знак., 10.04.2022 20:56,
)
- Не буду спорить - пока делаю вывод, что маломощные, особенно с высокой бетой, "менее симметричны" по напряжения переходов, чем те, которые ближе к средней мощности и на которые производитель пишет эти слова - эпитаксиальный планарный. Проверять буду на этих. Там посмотрим. В памяти отложилось измерение тестером падения на переходах как раз для BC807 - показывало одинаково. - Vit(10.04.2022 21:05)
- Современные биполярные транзисторы, наверняка, все эпитаксиальные.
Имеется ввиду, что на низкоомной кремниевой подложке метолом
эпитаксии выращен высокомощный кремний нужной толщины. Далее
диффузией или ионной имплантацией изготавливаются области базы и
эмиттера. Поскольку переходы базы и эмиттера выходят на поверхность
кристалла, транзистор называется эпитаксиальнопланарным. Эсли
область базы выполнить эпитаксией, будет транзистор с
эпитаксиальноц базой. Для обеспечения pmm_(288 знак., 10.04.2022 20:56,
- Спасибо! BC337 в DS от Fairchild указан как эпитаксиальный.
Аналогично BC807 от Fairchild и Diodes. SS8550 в современном DS от
OnSemi и некоторые кетайцы *MBT8550 пишут, что тоже такие. Пока
заложусь на BC807-40 - посмотрим - Vit(10.04.2022 20:36)