-
- Современные биполярные транзисторы, наверняка, все эпитаксиальные.
Имеется ввиду, что на низкоомной кремниевой подложке метолом
эпитаксии выращен высокомощный кремний нужной толщины. Далее
диффузией или ионной имплантацией изготавливаются области базы и
эмиттера. Поскольку переходы базы и эмиттера выходят на поверхность
кристалла, транзистор называется эпитаксиальнопланарным. Эсли
область базы выполнить эпитаксией, будет транзистор с
эпитаксиальноц базой. Для обеспечения pmm_(288 знак., 10.04.2022 20:56, )
- Не буду спорить - пока делаю вывод, что маломощные, особенно с высокой бетой, "менее симметричны" по напряжения переходов, чем те, которые ближе к средней мощности и на которые производитель пишет эти слова - эпитаксиальный планарный. Проверять буду на этих. Там посмотрим. В памяти отложилось измерение тестером падения на переходах как раз для BC807 - показывало одинаково. - Vit(10.04.2022 21:05)
- Современные биполярные транзисторы, наверняка, все эпитаксиальные.
Имеется ввиду, что на низкоомной кремниевой подложке метолом
эпитаксии выращен высокомощный кремний нужной толщины. Далее
диффузией или ионной имплантацией изготавливаются области базы и
эмиттера. Поскольку переходы базы и эмиттера выходят на поверхность
кристалла, транзистор называется эпитаксиальнопланарным. Эсли
область базы выполнить эпитаксией, будет транзистор с
эпитаксиальноц базой. Для обеспечения pmm_(288 знак., 10.04.2022 20:56, )