POV (15.05.2024 22:27, просмотров: 2077)-
- До 200В нет смысла, обычные мосфеты будут лучше. Галлий нитрид, но это очень дорого и на мегагерцовых частотах со всеми вытекающими. SiC транзисторы созданы для замены ИЖБТ, на напряжениях 300Вольт и выше. - Yurasvs(16.05.2024 08:31)
- SiC Mosfet бывает только от 650V. т.к. на низкие напряжения не
имеют преемуществ перед Si, да и пластина будет дюже тонкой - это
латеральные GaN делают от 100V и выше. Сейчас у Infineon вышли
шикарные транзюки с Top Side Cooling - imdq75r140m1h. - NeoPower(15.05.2024 23:38,
)
- Не увидишь эффекта. Это для больших мощностей и высоких температур
окружающей среды. - Бapбoc(15.05.2024 23:38)
- даже если частота 500 кГц? - POV(16.05.2024 08:30)
- Этот производитель много у кого есть General(1 знак., 15.05.2024 22:31, ссылка)
- уну, посмотрю - POV(15.05.2024 22:38)
- Хе General(1 знак., 15.05.2024 22:44, ссылка)
- По ссылке первый транзистор написан SiC, но он не SiC, а обычный мосфет. - Yurasvs(16.05.2024 08:29)
- с ТО-220 косяк ( - POV(15.05.2024 22:51)
- фетиш? - General(15.05.2024 23:05)
- плата готовая - POV(15.05.2024 23:12)
- С какой целью интересуетесь? Какие задачи хотите решить SiCом, но
не решаются обычными мосфетами на 150Вольтах? - Yurasvs(16.05.2024 08:30)
- Драйвер леда. Работает, всё всех устраивает... но POV(344 знак., 16.05.2024 08:35)
- Основная проблема двухтактных схем на обычных мосфетах, работающих
в режиме непрерывного тока, в том. что во время мертвого времени
включается в работу встроенный диод мосфета, а он жутко медленный.
При дальнейшем открытии противоположного плеча возникает большой
бросок тока обратного восстановления, который резко снижает КПД. На
низких напряжениях питания мосфеты можно шунтировать диодами Шоттки
с падением меньше, чем у встроенного диода. Шоттки могут быть Yurasvs(397 знак., 16.05.2024 11:23)
- будем посмотреть - POV(16.05.2024 11:32)
- Основная проблема двухтактных схем на обычных мосфетах, работающих
в режиме непрерывного тока, в том. что во время мертвого времени
включается в работу встроенный диод мосфета, а он жутко медленный.
При дальнейшем открытии противоположного плеча возникает большой
бросок тока обратного восстановления, который резко снижает КПД. На
низких напряжениях питания мосфеты можно шунтировать диодами Шоттки
с падением меньше, чем у встроенного диода. Шоттки могут быть Yurasvs(397 знак., 16.05.2024 11:23)
- Драйвер леда. Работает, всё всех устраивает... но POV(344 знак., 16.05.2024 08:35)
- С какой целью интересуетесь? Какие задачи хотите решить SiCом, но
не решаются обычными мосфетами на 150Вольтах? - Yurasvs(16.05.2024 08:30)
- плата готовая - POV(15.05.2024 23:12)
- фетиш? - General(15.05.2024 23:05)
- Хе General(1 знак., 15.05.2024 22:44, ссылка)
- уну, посмотрю - POV(15.05.2024 22:38)