reZident (13.12.2024 21:03, просмотров: 91) ответил POV на АК?-
- я о дополнительном разряде конденсаторов, которые в базу - Vit(14.12.2024 04:03)
- Если ток базы ограничен(условно, максимальным током базы, но,
реально, поменьшэ, канэш), то ничего спецыально спасать от обратки
не надо. Все стабилитроны в микросхемах сделаны на базе
обратносмещонного БЭ. - mse homjak(13.12.2024 21:31)
- ХЗ. В даташите 2N5401 от Fairchild макс.ток базы не нормирован. Но если принять его как 1/10 от макс.тока коллектора (600мА), то на грани получается (12В/200Ом=60мА). - reZident(13.12.2024 21:40)
- Это если не планируется использовать их кроме как стабилитрон.
Регулярный пробой эмиттерного перехода обратным напряжение приводит
к деградации усиления. - Toчкa oпopы(13.12.2024 21:39)
- Каков механизм? - mse homjak(13.12.2024 21:47)
- Инжекция носителей на границу раздела п/п и диэлектрика в области
перехода. Вот, что пишет Toshiba в "Designing for Reliability": Toчкa oпopы(1201 знак., 13.12.2024 22:04)
- Нормально. 5-6В@60ма... Чота он деграднул... С чего бы? Ни в одном из процитированных нет упоминания об ограничении тока в разумных пределах. Тем более, что у performance девайсов сверхрезкие переходы и там, вплоть до выпадения легирующих примесей из твёрдого раствора можэт случаться. Нам-жэ, наоборот, рекомендовали для ускоренного рассасывания неосновных носителей вводить БЭ в режим лавинного пробоя. С ограничением тока, ессно. Не знаю, как щас, но в те времена дажэ mse homjak(81 знак., 13.12.2024 22:45)
- Инжекция носителей на границу раздела п/п и диэлектрика в области
перехода. Вот, что пишет Toshiba в "Designing for Reliability": Toчкa oпopы(1201 знак., 13.12.2024 22:04)
- Каков механизм? - mse homjak(13.12.2024 21:47)