mse homjak (13.12.2024 21:47, просмотров: 55) ответил Toчкa oпopы на Это если не планируется использовать их кроме как стабилитрон.
Регулярный пробой эмиттерного перехода обратным напряжение приводит
к деградации усиления.-
- Инжекция носителей на границу раздела п/п и диэлектрика в области
перехода. Вот, что пишет Toshiba в "Designing for Reliability": Toчкa oпopы(1201 знак., 13.12.2024 22:04)
- Нормально. 5-6В@60ма... Чота он деграднул... С чего бы? Ни в одном из процитированных нет упоминания об ограничении тока в разумных пределах. Тем более, что у performance девайсов сверхрезкие переходы и там, вплоть до выпадения легирующих примесей из твёрдого раствора можэт случаться. Нам-жэ, наоборот, рекомендовали для ускоренного рассасывания неосновных носителей вводить БЭ в режим лавинного пробоя. С ограничением тока, ессно. Не знаю, как щас, но в те времена дажэ mse homjak(81 знак., 13.12.2024 22:45)
- Инжекция носителей на границу раздела п/п и диэлектрика в области
перехода. Вот, что пишет Toshiba в "Designing for Reliability": Toчкa oпopы(1201 знак., 13.12.2024 22:04)