caxapa.ru :: Это если не планируется использовать их кроме как стабилитрон. Регулярный пробой эмиттерного перехода обратным напряжение приводит к деградации усиления.

Toчкa oпopы (13.12.2024 21:39, просмотров: 54) ответил mse homjak на Если ток базы ограничен(условно, максимальным током базы, но, реально, поменьшэ, канэш), то ничего спецыально спасать от обратки не надо. Все стабилитроны в микросхемах сделаны на базе обратносмещонного БЭ.

Это если не планируется использовать их кроме как стабилитрон. Регулярный пробой эмиттерного перехода обратным напряжение приводит к деградации усиления.

1. Изо всех сил стараюсь не кормить троллей. 2. Продаю импортные ЭК - https://shop.fulcrum.ru/buy

Ответить

- Каков механизм? - mse homjak(13.12.2024 21:47)
  - Инжекция носителей на границу раздела п/п и диэлектрика в области перехода. Вот, что пишет Toshiba в "Designing for Reliability": Toчкa oпopы(1201 знак., 13.12.2024 22:04)
    - Нормально. 5-6В@60ма... Чота он деграднул... С чего бы? Ни в одном из процитированных нет упоминания об ограничении тока в разумных пределах. Тем более, что у performance девайсов сверхрезкие переходы и там, вплоть до выпадения легирующих примесей из твёрдого раствора можэт случаться. Нам-жэ, наоборот, рекомендовали для ускоренного рассасывания неосновных носителей вводить БЭ в режим лавинного пробоя. С ограничением тока, ессно. Не знаю, как щас, но в те времена дажэ mse homjak(81 знак., 13.12.2024 22:45)

Схемы, платы, компоненты