Adept (09.04.2025 18:28 - 18:30, просмотров: 50) ответил reZident на Фотогальванический vs фотовольтаический режим работы ФД, не? В
первом случае ФД замкнут цепью ООС, генерируя ток, во втором случае
- напряжение....делать нужно так, как нужно. А как ненужно - делать не нужно (С) Винни-Пух :)
-
- Отнюдь! ООС стремится поддерживать разницу на входах ОУ близкую к
нулю. Так что ФД работает именно в режиме замыкания по току. ЕМНИП
быстродействие первой схемы выше, чем у второй, если как-либо этот
параметр важен. - reZident(09.04.2025 18:31)
- и что? как это принципиально отличается от того, что фотодиод (как
именно источник фототока) прямо нагружен на резистор, генерируя на
нём соответствующую фотоЭЛС? Adept(473 знак., 09.04.2025 18:32 - 18:36)
- Я ж пишу, что схемы отличаются быстродействием. Если это вам не важно, то применяйте какую угодно схему. P.S. лет
10 назад "изобретал" открытую оптопару для устройства во
взрывозащищенном корпусе. Vit наверное еще помнит. ;-) Тогда
быстродействие этой оптопары (и фотодиода в частности) для меня
было важным. - reZident(09.04.2025 18:39)
- "можно п-п-помедленнеее, я записываю.." (С) :)) как оно влияет на быстродействие- то? предположим накопленные
носители заряда под тдействием света, по окончании освещённости
обязаны рассосаться. В первом случае они утекут в ветку ООС, во
втвором случае, через резистор в землю. И в том и в другом случае
процесс довольно медленный. Не вижу принципиальной разницы. Хотя, в
первом случае Adept(495 знак., 09.04.2025 18:53)
- Я бы сказал, что есть несколько вариантов применения ФД. Грубо - 1) генератор ЭДС; 2) датчик освещенности (п.1, но без мощностной составляющей); 3) приемник низкочастотного модулированного сигнала на фоне внешнего освещения (приемник ИК ДУ); 4) п.3 без внешней засветки - 100% АМ (оптопары); 5) приёмник ВЧ-модулированного синала (оптоволокно - связано с необходимостью средневысокого уровня подсветки и аналого-модулированного сигнала невысокого уровня модуляции). Всё это Vit(145 знак., 09.04.2025 22:58)
- "можно п-п-помедленнеее, я записываю.." (С) :)) как оно влияет на быстродействие- то? предположим накопленные
носители заряда под тдействием света, по окончании освещённости
обязаны рассосаться. В первом случае они утекут в ветку ООС, во
втвором случае, через резистор в землю. И в том и в другом случае
процесс довольно медленный. Не вижу принципиальной разницы. Хотя, в
первом случае Adept(495 знак., 09.04.2025 18:53)
- Я ж пишу, что схемы отличаются быстродействием. Если это вам не важно, то применяйте какую угодно схему. P.S. лет
10 назад "изобретал" открытую оптопару для устройства во
взрывозащищенном корпусе. Vit наверное еще помнит. ;-) Тогда
быстродействие этой оптопары (и фотодиода в частности) для меня
было важным. - reZident(09.04.2025 18:39)
- и что? как это принципиально отличается от того, что фотодиод (как
именно источник фототока) прямо нагружен на резистор, генерируя на
нём соответствующую фотоЭЛС? Adept(473 знак., 09.04.2025 18:32 - 18:36)
- Отнюдь! ООС стремится поддерживать разницу на входах ОУ близкую к
нулю. Так что ФД работает именно в режиме замыкания по току. ЕМНИП
быстродействие первой схемы выше, чем у второй, если как-либо этот
параметр важен. - reZident(09.04.2025 18:31)