...делать нужно так, как нужно. А как ненужно - делать не нужно (С) Винни-Пух :)
-
- Велико сопротивление между базой и плюсом питания. Падение будет больше, чем у LDO. А диод я бы со входа на выход поставил. Ну или ещё один - с базы на коллектор. А то при замыкании на входе, с ёмкостей выхода потечёт ток через Б-К. И база отгорит. - Nikolay_Po(10.03.2026 15:04)
- 100к нагрузка - почти получается. Но если хоть немного пытаться ток
качать - сразу падение большое. POV(3 знак., 10.03.2026 15:02, картинка, картинка)
- Болванка Алиса: Значение напряжения насыщения может отличаться у
разных транзисторов, но обычно находится в пределах 0,3–0,5 В. То
есть, при сколько-нибудь существенном токе, всё равно будет
напряжение падения К-Э. Нужен полевик, только он оперирует
сопротивлением канала и оно может быть десятки миллиом. - Ralex(10.03.2026 16:15)
- Врёт ваша Алиса argus98(1 знак., 11.03.2026 11:49, картинка, +1)
- Это что за транзюк? если BC857 то нещитова, он перегреется. Нужно
такой в норм корпусе, хотя бы SOT-223. - Ralex(11.03.2026 19:46)
- PZTA42 (Fairchild) - argus98(11.03.2026 20:00)
- Гадость какая. 0.5А макс продолжительный ток, и при этом всего 40
усиление - Ralex(12.03.2026 12:13)
- В глубоком насыщении - усиление по току падает у всех биполярников.
Или - нет? - Toчкa oпopы(12.03.2026 12:45)
- Я просто привел цифру из таблицы параметров в даташит. Безотносительно насыщения или линейного режима. - Ralex(12.03.2026 13:49)
- В глубоком насыщении - усиление по току падает у всех биполярников.
Или - нет? - Toчкa oпopы(12.03.2026 12:45)
- Гадость какая. 0.5А макс продолжительный ток, и при этом всего 40
усиление - Ralex(12.03.2026 12:13)
- PZTA42 (Fairchild) - argus98(11.03.2026 20:00)
- Это что за транзюк? если BC857 то нещитова, он перегреется. Нужно
такой в норм корпусе, хотя бы SOT-223. - Ralex(11.03.2026 19:46)
- Врёт ваша Алиса argus98(1 знак., 11.03.2026 11:49, картинка, +1)
- Ну не сильно большое (но не минимальное конечно). Дык у Вас 20uA в
базе VT1 всего, а в нагрузке 7mA, бета там, в лучшем случае 50, а
то и менее. сделайте ток в базе VT1 на порядок большим. Резисторы
10К попробуйте уронить до 1К (понятно, что это только для проверки
идеи, и так, может Q1/Q2 дополнить вторым, для высокого бета?
Понятно, что баланс между КПД и падением напряжения будет, но схема
вроде рабочая. Мож какая-то вариация на эту схему и устроит? Adept(130 знак., 10.03.2026 16:08)
- Чего-то как-то гемморойно выходит, места нет всё это лепить. Буду
подумать... транзюк надо полегче подобрать, от этого сильно зависит
нагрек контроллера. - POV(10.03.2026 16:09)
- тогда может лучший высоковольтный LDO?? В зависимости от нагрузки, получите 0,5..1V падение. Неужто так критично? Но это тоже место и тепло... Впрочем, Ваш изначальный посыл (аналоговый ограничитель) и не предполагал компактности и высокого КПД. Ежели нужен КПД и компактность, то за этим пожалуйте в высоковольтным DCDC. В SOT23-6 их немало, но это сразу платка. - Adept(10.03.2026 16:20)
- Чего-то как-то гемморойно выходит, места нет всё это лепить. Буду
подумать... транзюк надо полегче подобрать, от этого сильно зависит
нагрек контроллера. - POV(10.03.2026 16:09)
- Болванка Алиса: Значение напряжения насыщения может отличаться у
разных транзисторов, но обычно находится в пределах 0,3–0,5 В. То
есть, при сколько-нибудь существенном токе, всё равно будет
напряжение падения К-Э. Нужен полевик, только он оперирует
сопротивлением канала и оно может быть десятки миллиом. - Ralex(10.03.2026 16:15)