POV (Сегодня, 15:02, просмотров: 33) ответил Adept на с чего будет большое падение, если VT1 в насышении практически
(считай база соединена с коллектором) разве не? VD1 как раз для
защиты БЭ от "обратного" при остаточном напряжении на нагрузки и
низком входном.100к нагрузка - почти получается. Но если хоть немного пытаться ток
качать - сразу падение большое.
-
- Болванка Алиса: Значение напряжения насыщения может отличаться у разных транзисторов, но обычно находится в пределах 0,3–0,5 В. То есть, при сколько-нибудь существенном токе, всё равно будет напряжение падения К-Э. Нужен полевик, только он оперирует сопротивлением канала и оно может быть десятки миллиом. - Ralex(Сегодня, 16:15)
- Ну не сильно большое (но не минимальное конечно). Дык у Вас 20uA в
базе VT1 всего, а в нагрузке 7mA, бета там, в лучшем случае 50, а
то и менее. сделайте ток в базе VT1 на порядок большим. Резисторы
10К попробуйте уронить до 1К (понятно, что это только для проверки
идеи, и так, может Q1/Q2 дополнить вторым, для высокого бета?
Понятно, что баланс между КПД и падением напряжения будет, но схема
вроде рабочая. Мож какая-то вариация на эту схему и устроит? Adept(130 знак., Сегодня, 16:08)
- Чего-то как-то гемморойно выходит, места нет всё это лепить. Буду
подумать... транзюк надо полегче подобрать, от этого сильно зависит
нагрек контроллера. - POV(Сегодня, 16:09)
- тогда может лучший высоковольтный LDO?? В зависимости от нагрузки, получите 0,5..1V падение. Неужто так критично? Но это тоже место и тепло... Впрочем, Ваш изначальный посыл (аналоговый ограничитель) и не предполагал компактности и высокого КПД. Ежели нужен КПД и компактность, то за этим пожалуйте в высоковольтным DCDC. В SOT23-6 их немало, но это сразу платка. - Adept(Сегодня, 16:20)
- Чего-то как-то гемморойно выходит, места нет всё это лепить. Буду
подумать... транзюк надо полегче подобрать, от этого сильно зависит
нагрек контроллера. - POV(Сегодня, 16:09)