ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
16 июля
562151 Топик полностью
Evgeny_CD, Архитектор (25.11.2014 17:48, просмотров: 132) ответил ANV на По сути это ответ на вопрос, почему Самсунг применил толстый техпроцесс для своей 3D флеш. Было бы выгодно применять TSV для 20 нм - применяли бы
Толстый техпроцесс применил Intel, Samsung -> вроде что-то типа 20 нм применяет, но есть тонкость. С уменьшением размера число циклов падает столь стремительно, что, возможно, экономически выгоднее сделать по 45 нм, зато "дубовую" FLASH со 100к http://www.3dincites.com/2014/08/samsungs-3d-vnand-flash-product-spires-el-dorado/
циклами, например.