caxapa.ru :: Правильно ли я понимаю, что речь о небольших (десятки - пара сотен мВ) колебаниях на затворе в районе порогового напряжения, во время перезаряда ёмкости Миллера? Что, меняем драйвер на транзисторный каскад в режиме AB? Или есть драйверы с

Nikolay_Po (12.01.2018 13:39, просмотров: 198) ответил AU08 на Мысль про нюансы драйвера MOSFET (с любимых Лагуновым затворным резистором): драйвер + R "тянут" только в одну сторону, и поэтому такая цепь не препятствует колебаниям.

Правильно ли я понимаю, что речь о небольших (десятки - пара сотен мВ) колебаниях на затворе в районе порогового напряжения, во время перезаряда ёмкости Миллера? Что, меняем драйвер на транзисторный каскад в режиме AB? Или есть драйверы с КМОП-транзисторами на выходе? Драйвер с биполярными выходными транзисторами "тянет" лишь в одну сторону. Но колебания большие, чем напряжение открытого P-N перехода, на выходе драйвера невозможны - откроются переходы с выхода на питание или с выхода на землю. Не помешала бы детальная осциллограмма с выхода драйвера. С другой стороны, управляемые транзисторы - с большой крутизной. И им достаточно колебаний в пределах пары сотен мВ, чтобы "звенеть" существенным током стока. Что, меняем драйвер на транзисторный каскад в режиме AB? Подсказка: можно попробовать принудительно увеличивать ток "покоя" на время полного перезаряда затвора. Драйверы с полевым выходным каскадом, должно быть, лишены такой проблемы.

Ответить

- Не спасет даже самый идеальный драйвер. Достаточно длины выводов транзистора, чтобы звенело. И звенит во многих промышленных конструкциях, полностью убрать, ИМХО, нереально. Вечером книгу скину по мощным частотникам, там есть "про это". - Yurasvs(12.01.2018 14:52)
  - Предполагаю, что для получения хоть какого-то эффекта от дополнительного конденсатора в цепи затвор-исток (G-S) его ёмкость должна быть сопоставима с входной (Сgs) у MOSFET. Или больше. AU08(345 знак., 12.01.2018 15:15 - 15:22)
    - Ни разу не видел подобного в изделиях saifullin2(36 знак., 12.01.2018 16:42)
      - Видел конденсаторы в схеме демоборды полумоста из карбидокремниевых транзисторов. - Yurasvs(12.01.2018 16:54)
        
        Разрабы на капах экономят, saifullin2(53 знак., 12.01.2018 17:43)
    - Польза от конденсатора еще и в том, что обратный выброс замыкается вблизи транзистора, а не идет по длинной линии в драйвер. Очень эффективна известная схема подавления на pnp биполярнике, применяют очень часто - Yurasvs(12.01.2018 16:11)
      - и что? У меня Сgs=4500 пФ, вы предлагаете еще добавить 5000 пФ? - Лагунов(12.01.2018 19:38)
        
        Это последняя мера, когда другие способы не помогают. Если можно обойтись без этого, лучше обойтись. Кстати, экстремально высокая скорость открытия-закрытия ключа не всегда нужна, очень часто ее специально ограничивают во избежание гораздо более Yurasvs(60 знак., 12.01.2018 23:05)
        
        Вы это о чём спрашиваете? - AU08(12.01.2018 19:45)
        
        о том, что параллельно емкости затвор-исток надо добавить еще столько же пФ. Разве не это предлагают? - Лагунов(12.01.2018 19:54)
        
        Не предлагал, а рассуждал: о своём, о безвентилятроном. Ключи греются больше, чем планировалось, куплены новые. Заранее продумываю, где и как можно будет подстроить. - AU08(12.01.2018 20:02 - 20:06)
        
        я вот смотрю на эту платку, что публиковал последней. Там что-то греется всё. Не поймешь, кто сильней - дроссель, драйвер, снаббер(???), диод бутстрапный. Вся плата, короче... - Лагунов(12.01.2018 21:25)
        
        Пирометр Вам в помощь! - saifullin2(13.01.2018 10:41)
      - Пробовал с MMBT2907 - вообще разницы не заметил. Правда MOSFET не особо мощный был STP11NM65 и подобные. Картинки с затвора сохранял и сравнивал на компе с транзистором и просто с резистором 13Ом. - Andreas(12.01.2018 19:21)
        
        Так этот stp11nm60fp и так шустрый: Cgate = 1000 пФ, Trise + Tfall = 20 + 11 нс @ Rgate = 4,7 Ом. Картинки на Gate сравнивать сложнее, чем температуру ключа. У MMBT2907 кристалл мал - ток до 0,8А всего. - AU08(12.01.2018 19:55 - 20:51)
        
        Важнее Ron. saifullin2(260 знак., 12.01.2018 21:33)
        
        А источник какой? - saifullin2(12.01.2018 20:24)
        
        L6561, на других подобных даже пробовать не стал. Лучше транзюк более свежего поколения подобрать. У инфинеона и тошибы постоянно смена поколений идет: цена и заряд затвора падают. - Andreas(12.01.2018 21:04)
      - Уже обсуждали: биполярные транзисторы относительно медленные. - AU08(12.01.2018 18:54, ссылка)
        
        IRF писал аппноту, где полевиковые сборки Pканал+Nканал и низким пороговым напряжением включаются с общим истоком как повторители. Такое ставят в индукционные печи. Оно работает на сотнях килогерц. Сдвиг можно компенсировать добавлением Yurasvs(24 знак., 12.01.2018 19:16)
      - Как описано там? -> - Evgeny_CD(12.01.2018 18:09, ссылка)
      - Диодес инк. клепает мускулистых тараканов saifullin2(39 знак., 12.01.2018 17:40 - 17:53, ссылка)
        
        ECH8102 - существенно более мускулистый таракан от ON Semiconductor. 24А импульсный, время фронта открытия транзистора - 17 нс. И дешевый - $0.64 в розницу. -> По скорости замечания такие. Классическая схема --> Evgeny_CD(511 знак., 12.01.2018 20:32, ссылка, ссылка)
        
        Спасибо! Вот теперь - верю :) - AU08(12.01.2018 20:37)
        
        Спасибо! SOA душевная: 10А при 20В до 100 мкс. НО! Тrise + Tfall суммарно 160 нс - это для частоты 20 кГц и то с натягом (>0.3%) :( AU08(12.01.2018 18:13 - 18:23)
        
        Спасибо. saifullin2(241 знак., 12.01.2018 19:21)
        
        Напоминает BISS --> - SciFi(12.01.2018 18:15, ссылка)
        
        Скорее всего оно и есть. saifullin2(84 знак., 12.01.2018 19:24)
        
        Спасибо! Действительно мускулистый! - Evgeny_CD(12.01.2018 18:10)
      - Знаю схему с биполярником в затворе, использующуюся для усиления/ускорения. А какая схема используется для подавления генерации? - AlexBi(12.01.2018 16:54)
        
        Скорее не против генерации, а против ложного открывания импульсом, прошедшим со стока через емкость Миллера. Если драйвер далеко, несмотря на то, что он дает команду на закрытие, из-за индуктивности линии ложный импульс на затворе может превысить Yurasvs(492 знак., 12.01.2018 17:09)
- Таки да, у мощных MOSFET "крутизна" (Forward Transconductance) от 20 до 130 A/В, поэтому достаточно колебаний с двойным размахом до 500 мВ на затворе, чтобы получить максимальную амплитуду генерации на стоке. - AU08(12.01.2018 13:57 - 14:15)
  - мен обещали 45 A/В вместо 130 - посмотрю... - Лагунов(12.01.2018 19:35)

Схемы, платы, компоненты