Evgeny_CD, Архитектор (15.02.2019 19:41, просмотров: 181) ответил Yurasvs на Оснастили свой прибор ККМом на 3.5кВт. Схема стандартная бустерная. Частота 100кГц. Диод карбидкремниевый. В опытном образце стоял довольно медленный, но мощный МОСФЕТ, грузили более 4кВт, работало долго без нареканий. В серию собрались ставить-
- Вот еще полезный документ по тепловому расчету MOSFETов. ТщательнЕе надо сейчас, оказывается, дедовские методы расчета "по среднему" уже не канают... - Yurasvs(10.03.2019 17:28, ссылка)
- И тут в полный рост встает "проблемка" качественных моделей компонентов. Вот так просто треугольниками процессы не шибко точно можно аппроксимировать. А еще звон бывает, и он тоже может нагреть кристалл. Все это надо моделировать как СВЧ плату - Evgeny_CD(143 знак., 11.03.2019 12:30)
- Спасибо! Я уже выкладывал подборку апноутов Toshiba ->, но тогда такого еще не было. Видать, это всеобщая беда, требующая, по сути, нормировки мгновенного "побочного" потока энергии через кристалл. - Evgeny_CD(11.03.2019 12:12, ссылка)
- Спасибо! С первого раза не совсем понятно. От того что классифицировали формы импульсов, какой выигрыш? - De_User(11.03.2019 11:10)
- Просто раньше, в эпоху больших и не очень высоконагруженных в среднем кристаллов пиковая тепловая мощность в несколько киловатт в момент переключения не приводила к критическому подскоку мгновенной температуры. Сейчас приводит, и все это надо Yurasvs(21 знак., 11.03.2019 13:38)
- Выигрыш в возможности привязаться хоть к чему-то. Когда считаешь тепловые режимы, часто не хватает исходных данных. Приходится делать предположения и ошибаться. Nikolay_Po(105 знак., 11.03.2019 11:24)
- Вот еще полезный документ по тепловому расчету MOSFETов. ТщательнЕе надо сейчас, оказывается, дедовские методы расчета "по среднему" уже не канают... - Yurasvs(10.03.2019 17:28, ссылка)