caxapa.ru :: Тем более, что диффузия вредна для изоляции p-n переходом, а нынче в микросхемах применяют изоляцию транзисторов поликремнием или SiO2 или какие другие извраты.

=L.A.= (04.08.2004 17:55, просмотров: 1) ответил =mse= на При 1000-1200 в течение N часов на десятки мкм в кремнии.

Тем более, что диффузия вредна для изоляции p-n переходом, а нынче в микросхемах применяют изоляцию транзисторов поликремнием или SiO2 или какие другие извраты.

- Да и как диффузия может вредить переходу? - =mse=(05.08.2004 11:59)
  - Голому переходу (т.е. диоду) - почти никак, но... =AK=(146 знак., 05.08.2004 15:48)
    - хе-хе-хе ;О) Эмиттерная диффузия - самая последняя, самая контролируемая. И у полевиков контактные(стоково-истоковые) области тоже последние. Кстати, там... =mse=(115 знак., 05.08.2004 16:22)
      - "Предупреждать надо!" (с) =AK=(64 знак., 06.08.2004 14:53)
  - Ну так он, переход изза диффузии перемещается+размывается граница ( что ухудшает его свойства ). Но это всё технология 30-ти летней давности, сейчас , думаю, даже на Ангстреме что то более новое. - =L.A.=(05.08.2004 13:52)
    - Да нет, ничего там не ухудшается при располании... =mse=(207 знак., 05.08.2004 14:10)
- Тем не менее SOI(КНС по нашему) на современных нормах удел достаточно продвинутых дядек. Не всякий Интель на это способен ;О) - =mse=(05.08.2004 11:57)
  - Понятно , что не всякий Ангстрем, а только некоторые Интели. -:) - =L.A.=(05.08.2004 13:21)
    - Ну Ангстремовский КНС это не есть современные нормы(имею в виду хотя бы 0.5-0.35мкм) - =mse=(05.08.2004 13:27)

Микроконтроллеры