Vit (13.12.2024 08:31, просмотров: 57) ответил POV на Ну, дам я схему. Она ровно такая же что давал ранее )) контроллер,
драйвер (выход усилить), трансформатор, транзисторы (ну и перед
ними резистор и запирающая цепочка). Всё как тут не раз многими
рисовалось. Букварь.. и вот же впервые столкнулся с наблюдаемым.
Сейчас накинул на вентилятор, завтра картинок с осцила опробую
добавить.-
- АК? - POV(13.12.2024 20:54)
- Анодом на базу, катодом на эмиттер. У кремниевых биполярных
транзисторов максимальное обратное напряжение Б-Э обычно не
превышает 5В. - reZident(13.12.2024 21:03)
- я о дополнительном разряде конденсаторов, которые в базу - Vit(14.12.2024 04:03)
- Если ток базы ограничен(условно, максимальным током базы, но,
реально, поменьшэ, канэш), то ничего спецыально спасать от обратки
не надо. Все стабилитроны в микросхемах сделаны на базе
обратносмещонного БЭ. - mse homjak(13.12.2024 21:31)
- ХЗ. В даташите 2N5401 от Fairchild макс.ток базы не нормирован. Но если принять его как 1/10 от макс.тока коллектора (600мА), то на грани получается (12В/200Ом=60мА). - reZident(13.12.2024 21:40)
- Это если не планируется использовать их кроме как стабилитрон.
Регулярный пробой эмиттерного перехода обратным напряжение приводит
к деградации усиления. - Toчкa oпopы(13.12.2024 21:39)
- Каков механизм? - mse homjak(13.12.2024 21:47)
- Инжекция носителей на границу раздела п/п и диэлектрика в области
перехода. Вот, что пишет Toshiba в "Designing for Reliability": Toчкa oпopы(1201 знак., 13.12.2024 22:04)
- Нормально. 5-6В@60ма... Чота он деграднул... С чего бы? Ни в одном из процитированных нет упоминания об ограничении тока в разумных пределах. Тем более, что у performance девайсов сверхрезкие переходы и там, вплоть до выпадения легирующих примесей из твёрдого раствора можэт случаться. Нам-жэ, наоборот, рекомендовали для ускоренного рассасывания неосновных носителей вводить БЭ в режим лавинного пробоя. С ограничением тока, ессно. Не знаю, как щас, но в те времена дажэ mse homjak(81 знак., 13.12.2024 22:45)
- Инжекция носителей на границу раздела п/п и диэлектрика в области
перехода. Вот, что пишет Toshiba в "Designing for Reliability": Toчкa oпopы(1201 знак., 13.12.2024 22:04)
- Каков механизм? - mse homjak(13.12.2024 21:47)
- Анодом на базу, катодом на эмиттер. У кремниевых биполярных
транзисторов максимальное обратное напряжение Б-Э обычно не
превышает 5В. - reZident(13.12.2024 21:03)
- АК? - POV(13.12.2024 20:54)