Схемы, платы, компоненты

они выравниваются. Сопоставив с графиком напряжения выброса - получаем вольт-секунды. Результат: оценка несвязанной индуктивности ~3.5мкГн. Округляем, используем в модели 4мкГн.

Резистор последовательно с диодом дает два видимых эффекта - демпфер для диода и сдвиг пика напряжения на емкости, что в свою очередь уменьшает пик выброса.

Проводил расчеты по своей модели, получается, что при слишком низком сопротивлении сдвиг пиков напряжений слишком мал (и пик выброса больше оптимального),

а при слишком высоком сопротивлении - на нем получается слишком большое падение напряжения. Т.е. можно определить какое-то оптимальное значение.

По прикидке для емкости 10nF наилучшим оказалось значение 20 Ом.
Уменьшение сопротивления с 30 до 15 Ом (второй резистор параллельно) в реальности дало вот такой вот "хвостик", и заметный звон на шунте.

Для сравнения, если оставить только один резистор 30 Ом:

В итоге, увеличение емкости с 2.2нФ до 10нФ без изменения других номиналов положительного эффекта не дало.
Размах напряжения на емкости уменьшился. Пиковое стало ~260В, минимальное - ~225В (при 200В DC входного).

При C=2.2нФ пик был 280В, но минимальное было ~125В.
Как следствие, пик выброса как минимум не понизился, а возможно, что даже увеличился.

С округлой формой выброса при номиналах C=3.3нФ R=30 Ом напряжение выброса достигало 400В при 240В DC,
а с "острым кончиком" - уже при 220В - т.е налицо ухудшение.