Yurasvs (08.04.2026 09:05, просмотров: 118) ответил il-2 на +1. И диодный мост не простой, а на "идеальных" диодах. Но это
будет не дешево...-
- GAN 650V 60А 33 mΩ пара встречно General(5 знак., 08.04.2026 14:14, ссылка, ссылка)
- Один хрен 60 Вт тепла отводить от этой пары придется! 30А^2*(0,033Ом*2)=59,4Вт. - reZident(08.04.2026 14:29)
- Юра! Вот это твоё замечание: "...он намного нежнее, хуже
выдерживает кратковременные перегрузки из-за квадратичной
зависимости омических потерь от тока нагрузки" очень ценно. Прямо
проливает свет! Я чувствовал, что нежнее и хуже выдерживает. А
почему - сказать не мог - не сообразил, не задумался. А ты сказал.
Спасибо! - Nikolay_Po(08.04.2026 10:48)
- Дык если сравнить симмистор, скажем, на 16А и MOSFET на такой же
ток, то можно легко заметить, что симмистор выдерживает 10-кратную
перегрузку по току в течение сетевого периода (20мс), а MOSFET в
лучшем случае 2,5-3-кратную и то это сильно зависит от текущей
температуры кристалла и длительности импульса. - reZident(08.04.2026 11:44)
- Главная причина - у диода/тиристора падение напряжения при росте
тока растёт нелинейно, а у полевого транзистора - линейно и даже
ускоренно. - Nikolay_Po(08.04.2026 11:48)
- Там в основном 2 фактора. Кристалл триака намного массивнее, а у
мосфета ужат до предела для снижения паразитных емкостей. Тепловая
постоянная времени гораздо меньше. Плюс квадратичность. - Yurasvs(08.04.2026 19:06)
- Итого, разница ошеломляющая. - Nikolay_Po(08.04.2026 21:08)
- Там в основном 2 фактора. Кристалл триака намного массивнее, а у
мосфета ужат до предела для снижения паразитных емкостей. Тепловая
постоянная времени гораздо меньше. Плюс квадратичность. - Yurasvs(08.04.2026 19:06)
- Главная причина - у диода/тиристора падение напряжения при росте
тока растёт нелинейно, а у полевого транзистора - линейно и даже
ускоренно. - Nikolay_Po(08.04.2026 11:48)
- Дык если сравнить симмистор, скажем, на 16А и MOSFET на такой же
ток, то можно легко заметить, что симмистор выдерживает 10-кратную
перегрузку по току в течение сетевого периода (20мс), а MOSFET в
лучшем случае 2,5-3-кратную и то это сильно зависит от текущей
температуры кристалла и длительности импульса. - reZident(08.04.2026 11:44)
- GAN 650V 60А 33 mΩ пара встречно General(5 знак., 08.04.2026 14:14, ссылка, ссылка)