il-2 (08.04.2026 06:53, просмотров: 117) ответил vpv.vpv на Я бы взял диодный мост и в диагональ поставил N-канальный полевик.
Управление: DC-DC + оптопара "зеро кросс".-
- Идеальные диодные мосты бывают только низковольтные, на высокое
напряжение экономически невыгодно. Судите сами. На диоде обычного
моста падает 0.8..1В при рабочем токе, да еще с нагревом
уменьшается. На недешевом 20миллиомном мосфете при 25 градусах и
30А 600милливольт, но при рабочей температуре уже около вольта, и
притом он намного нежнее, хуже выдерживает кратковременные
перегрузки из-за квадратичной зависимости омических потерь от тока
нагрузки. - Yurasvs(08.04.2026 09:05)
- GAN 650V 60А 33 mΩ пара встречно General(5 знак., 08.04.2026 14:14, ссылка, ссылка)
- Один хрен 60 Вт тепла отводить от этой пары придется! 30А^2*(0,033Ом*2)=59,4Вт. - reZident(08.04.2026 14:29)
- Юра! Вот это твоё замечание: "...он намного нежнее, хуже
выдерживает кратковременные перегрузки из-за квадратичной
зависимости омических потерь от тока нагрузки" очень ценно. Прямо
проливает свет! Я чувствовал, что нежнее и хуже выдерживает. А
почему - сказать не мог - не сообразил, не задумался. А ты сказал.
Спасибо! - Nikolay_Po(08.04.2026 10:48)
- Дык если сравнить симмистор, скажем, на 16А и MOSFET на такой же
ток, то можно легко заметить, что симмистор выдерживает 10-кратную
перегрузку по току в течение сетевого периода (20мс), а MOSFET в
лучшем случае 2,5-3-кратную и то это сильно зависит от текущей
температуры кристалла и длительности импульса. - reZident(08.04.2026 11:44)
- Главная причина - у диода/тиристора падение напряжения при росте
тока растёт нелинейно, а у полевого транзистора - линейно и даже
ускоренно. - Nikolay_Po(08.04.2026 11:48)
- Там в основном 2 фактора. Кристалл триака намного массивнее, а у
мосфета ужат до предела для снижения паразитных емкостей. Тепловая
постоянная времени гораздо меньше. Плюс квадратичность. - Yurasvs(08.04.2026 19:06)
- Итого, разница ошеломляющая. - Nikolay_Po(08.04.2026 21:08)
- Там в основном 2 фактора. Кристалл триака намного массивнее, а у
мосфета ужат до предела для снижения паразитных емкостей. Тепловая
постоянная времени гораздо меньше. Плюс квадратичность. - Yurasvs(08.04.2026 19:06)
- Главная причина - у диода/тиристора падение напряжения при росте
тока растёт нелинейно, а у полевого транзистора - линейно и даже
ускоренно. - Nikolay_Po(08.04.2026 11:48)
- Дык если сравнить симмистор, скажем, на 16А и MOSFET на такой же
ток, то можно легко заметить, что симмистор выдерживает 10-кратную
перегрузку по току в течение сетевого периода (20мс), а MOSFET в
лучшем случае 2,5-3-кратную и то это сильно зависит от текущей
температуры кристалла и длительности импульса. - reZident(08.04.2026 11:44)
- GAN 650V 60А 33 mΩ пара встречно General(5 знак., 08.04.2026 14:14, ссылка, ссылка)
- Готовых идеальных диодов на 30 А я не припомню, поэтому мне
кажется, что два встречно включенных MOSFET всё же проще будут и
вариант с мостом смысла не имеет. - AlexG(08.04.2026 07:18)
- только если параллельно и если в них нету паразитных диодов. LordN(188 знак., 08.04.2026 08:24)
- Твердотелки на малые токи именно так и устроены. Диоды есть, но
взаимоблокируются за счет встречного включения. - AlexG(08.04.2026 09:21)
- это при последовательном встречном. но тогда на диодах падение
остается, а это минимум вольт на добром токе. т.е. нихуя не даром. LordN(71 знак., 08.04.2026 09:27)
- Оба полевика открывают вместе, не по-одному. Полевик (да и биполярный, пожалуй) в открытом состоянии и в обратную сторону так же хорошо проводит. - Nikolay_Po(08.04.2026 10:50)
- Открытый MOSFET шунтирует body-diode своим каналом и падение будет
минимальным. А диод закрытого MOSFETв блокируется обратным диодом
парного MOSFET. - reZident(08.04.2026 10:45)
- на ногах 3 и 5 +питания LordN(136 знак., 08.04.2026 11:08, картинка)
- Как вы один транзистор умудритесь открыть, оставив другой закрытым, если у них истоки и затворы соединены параллельно? Тут обратная логика управления - нет тока через оптрон - транзисторы открыты. Есть ток - транзисторы закрыты. Оба. Nikolay_Po(87 знак., 08.04.2026 11:14)
- С хрена ли VT1 закрыт, если VT2 открыт? Истоки и затворы N-MOSFET в
данной схеме запараллелены, поэтому транзисторы открываются
синхронно. Полевику пофиг в каком направлении проводить ток, когда
у него канал открыт - он для этого случая в отношении тока
биполярный прибор. - reZident(08.04.2026 11:14)
- ну и зачем их тогда там два стоит? LordN(68 знак., 08.04.2026 12:54)
- на ногах 3 и 5 +питания LordN(136 знак., 08.04.2026 11:08, картинка)
- это при последовательном встречном. но тогда на диодах падение
остается, а это минимум вольт на добром токе. т.е. нихуя не даром. LordN(71 знак., 08.04.2026 09:27)
- 100 лет назад видел немецкие диммеры именно на двух встречных мосфетах. И сам так делал. Преимущества и недостатки описал выше. Просто все думают, что если есть дешевые низковольтные мосфеты на единицы миллиом, то есть такие же и на высокое напряжение. Но это не так, физика кремния не позволяет. Только силиконкарбид, но с некоторыми нюансами. Удел простых мосфетов - схемы с питанием 100-150вольт, не выше. - Yurasvs(08.04.2026 08:37, +1)
- Твердотелки на малые токи именно так и устроены. Диоды есть, но
взаимоблокируются за счет встречного включения. - AlexG(08.04.2026 09:21)
- После начала войны друзья попросили импортозаместить горячее финское изделие приблизительно такой мощности. Я не нашел замену реле. Идеальные диоды на такой ток куплю. - Kpoк(08.04.2026 07:39)
- только если параллельно и если в них нету паразитных диодов. LordN(188 знак., 08.04.2026 08:24)
- Идеальные диодные мосты бывают только низковольтные, на высокое
напряжение экономически невыгодно. Судите сами. На диоде обычного
моста падает 0.8..1В при рабочем токе, да еще с нагревом
уменьшается. На недешевом 20миллиомном мосфете при 25 градусах и
30А 600милливольт, но при рабочей температуре уже около вольта, и
притом он намного нежнее, хуже выдерживает кратковременные
перегрузки из-за квадратичной зависимости омических потерь от тока
нагрузки. - Yurasvs(08.04.2026 09:05)
