=mse= (12.02.2005 11:18, просмотров: 1) ответил =mse= на Кстати, дорогой товарищ, фраза оттудова ;О)
Х-ха-ха-ха-ха..... а-а-а-а-а ;О) там прямым текстом-же написано... Оуенные аргументы приводите в свою защиту,;О) я бы поосторожничал, ей-богу In the low resistance “on” state of a bipolar transistor, one finds that the voltage between the collector and emitter is less than the forward bias voltage of the base-emitter junction. Typically the “on” state voltage of a silicon BJT is 100 mV and the forward bias voltage is 700 mV. Therefore, the base-collector junction is also forward biased.
В обчем, есть такая книга
"С. Зи. Физика полупроводниковых приборов" или, в первоисточнике
"S.M. Sze, Semiconductor Devices Physics and Technology"
вот иё и нада читать - там правда и ничё кроме правды. В своё время - страшный дефиццыт в узких кругах. Думаю у вас в ближайшей тех. библиотеке должна бысть.