Микроконтроллеры

Не, подожди, ;О) не путай с ног на голову... сделай ему Ic=1mа, Ib=1ma и посмотри, или 0,1ма и 0,1ма, если у него сопротивление тела коллектора под сотню Ом ;О). Высоковольтные транзисторы, кстати, отдельная тема. И там тонкостей столько, что предмет текущего спора не больше, чем невинная игра в крысу. Скорее свего, ваши цифры из ДШ, где сказано, "не хуже 5В при......". Потому как загнать биполярник в то самое насыщение, как два пальца об асфальт. Я просто ещё раз подчеркну почему это(инжекция из коллектора) важно - при обычной инжекции н-н из эмиттера накопление пренебрежымо мало за счёт конструкцыи эмиттера. А при инжекции из коллектора происходит та самая ситуаццыя, когда н-н попадают в пассивные области базы и оттудова их хрен выцепишь за желаемое время, даже если ввести БЭ в зенеровский режим. А эта ситуаццыя легко случится и в ОЭ, и в ОБ, и(конечно, труднее) в ОК, кстати, в ОК высоковольтный транзистор насытится легче, чем низковольтный. Т.е. критерий насыщения - это не когда Ик становится больше, чем Х21*..., а когда напряжение на коллекторе становится меньше, чем на базе. Согласитеся, во втором определении конкретики больше, учитывая, что Х21 может легко меняться на порядок туда-сюда. Такие вещи нелишне знать и просто схемотехнику. ;О)