ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Суббота
20 июля
22036 Топик полностью
=AK= (12.02.2005 12:03, просмотров: 2) ответил =mse= на Х-ха-ха-ха-ха..... а-а-а-а-а ;О) там прямым текстом-же написано... Оуенные аргументы приводите в свою защиту,;О) я бы поосторожничал, ей-богу
Вот вам простой пример Возьмите какой-нибудь высоковольтный транзистор, у которого напряжение насыщения - несколько вольт. Вот вам, навскидку: STM BUH2M20AP -- Base-Emitter Saturation Voltage Vbe(sat)=2V (при Iс = 2 mA Ib = 400 uA) -- Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=5V (при Ic = 2 mA Ib = 400 uA) Будете продолжать утверждать, что при 3В запирающего напряжения его переход база-коллектор открывается, и начинает что-то инжектировать в базу? Хи-хи :-)