Evgeny_CD, Архитектор (26.08.2013 12:11, просмотров: 10703)-
- А чуждая психозам "Toshiba начала расширять новый завод по выпуску NAND-флэш" - Evgeny_CD(26.08.2013 18:57, ссылка)
- Размышлизма в духе пирамидостроительства. Evgeny_CD(820 знак., 26.08.2013 18:04)
- Технология флеш считай устарела уже, но в неё вдуты инвестиции и все компании спешно пытаются их отбить. При этом постепенно сосредотачиваются в направлении ReRAM. Думаю переход будет практически молниеносным - за 2-3 года. =AlexD=(55 знак., 26.08.2013 12:48)
- В каком смысле устарела? Уже доказано, что ReRAM выигрывает по всем показателям (себестоимость, скорость, потребление, ...)? SciFi(74 знак., 26.08.2013 13:17 - 13:40)
- Так и не поняла, на замену flash для МК она годится? И если да, то какова будет скорость считывания? - Ксения(26.08.2013 18:04)
- Из опыта работы со спиновой памятью. Работает как ОЗУ, по скорости что-то типа 25 нс. За год экспериментов дырку протереть не удалось. Для прикладного ПО фантастика - можно проснуться с тем же состоянием памяти, как было в момент выдергивания Evgeny_CD(137 знак., 26.08.2013 18:11)
- Аффтар дал ответы на все вопросы -> - SciFi(26.08.2013 18:06, ссылка)
- да, да, да, да, да. - =AlexD=(26.08.2013 15:00)
- Дайте две :-) - SciFi(26.08.2013 17:52)
- Интересно как это возможно - уменьшить себестуху относительно TLC NANDа? Ни одна из предлагаемых технологий даже не замахивается на такую плотность. - ASDFS(26.08.2013 15:42)
- Видимо, основной эффект связан с 22нм с перспективой 10 нм. Т.е. с практической и экономической точки зрения есть минимально допустимый объем единичного кристалла. До 22 нм конкурентов FLASH по этому критерию не было, вот никто и не дергался. А Evgeny_CD(481 знак., 26.08.2013 16:31)
- я не допер - почему на 10 нм засуетились? Что за критерий? ASDFS(668 знак., 26.08.2013 17:36)
- Как в анекдоте "ты не путай туризм и эмиграцию". Стоит устроить непрерывную записать на SSD объема информации, раза в 2 больше, чем объем SSD, так скорости у него будут совсем другие :) Если почитать хорошие тесты, то видно, сколько разные Evgeny_CD(477 знак., 26.08.2013 17:43)
- Вот и я о том: сдерживающий фактор контроллеры и интерфейсы. ASDFS(598 знак., 26.08.2013 18:21)
- Как в анекдоте "ты не путай туризм и эмиграцию". Стоит устроить непрерывную записать на SSD объема информации, раза в 2 больше, чем объем SSD, так скорости у него будут совсем другие :) Если почитать хорошие тесты, то видно, сколько разные Evgeny_CD(477 знак., 26.08.2013 17:43)
- я не допер - почему на 10 нм засуетились? Что за критерий? ASDFS(668 знак., 26.08.2013 17:36)
- Видимо, основной эффект связан с 22нм с перспективой 10 нм. Т.е. с практической и экономической точки зрения есть минимально допустимый объем единичного кристалла. До 22 нм конкурентов FLASH по этому критерию не было, вот никто и не дергался. А Evgeny_CD(481 знак., 26.08.2013 16:31)
- Флеш устарела. - Ale3000(26.08.2013 13:26)
- Так и не поняла, на замену flash для МК она годится? И если да, то какова будет скорость считывания? - Ксения(26.08.2013 18:04)
- В каком смысле устарела? Уже доказано, что ReRAM выигрывает по всем показателям (себестоимость, скорость, потребление, ...)? SciFi(74 знак., 26.08.2013 13:17 - 13:40)