Это моё личное предвзятое мнение. Любое совпадение с реальностью является случайным и непреднамеренным.
-
- Дайте две :-) - SciFi(26.08.2013 17:52)
- Интересно как это возможно - уменьшить себестуху относительно TLC NANDа? Ни одна из предлагаемых технологий даже не замахивается на такую плотность. - ASDFS(26.08.2013 15:42)
- Видимо, основной эффект связан с 22нм с перспективой 10 нм. Т.е. с практической и экономической точки зрения есть минимально допустимый объем единичного кристалла. До 22 нм конкурентов FLASH по этому критерию не было, вот никто и не дергался. А Evgeny_CD(481 знак., 26.08.2013 16:31)
- я не допер - почему на 10 нм засуетились? Что за критерий? ASDFS(668 знак., 26.08.2013 17:36)
- Как в анекдоте "ты не путай туризм и эмиграцию". Стоит устроить непрерывную записать на SSD объема информации, раза в 2 больше, чем объем SSD, так скорости у него будут совсем другие :) Если почитать хорошие тесты, то видно, сколько разные Evgeny_CD(477 знак., 26.08.2013 17:43)
- Вот и я о том: сдерживающий фактор контроллеры и интерфейсы. ASDFS(598 знак., 26.08.2013 18:21)
- Как в анекдоте "ты не путай туризм и эмиграцию". Стоит устроить непрерывную записать на SSD объема информации, раза в 2 больше, чем объем SSD, так скорости у него будут совсем другие :) Если почитать хорошие тесты, то видно, сколько разные Evgeny_CD(477 знак., 26.08.2013 17:43)
- я не допер - почему на 10 нм засуетились? Что за критерий? ASDFS(668 знак., 26.08.2013 17:36)
- Видимо, основной эффект связан с 22нм с перспективой 10 нм. Т.е. с практической и экономической точки зрения есть минимально допустимый объем единичного кристалла. До 22 нм конкурентов FLASH по этому критерию не было, вот никто и не дергался. А Evgeny_CD(481 знак., 26.08.2013 16:31)