Evgeny_CD, Архитектор (24.11.2014 23:30, просмотров: 131) ответил ANV на Сомневаюсь что весь сыр бор ради закона Мура, наверное переход к FinFET всё таки решает какие то технологические проблемы которые на бОльших техпроцессах не создают существенных проблем.-
- Безусловно, но даже виа 10мкм по сравнению с 14нм техпроцесса выглядят как слон рядом с мышкой :) А виа надо много, делать широкие шины - ANV(24.11.2014 23:33)
- Ничего не бывает бесплатно. :) Кстати, TSV пока в основном для 45 и 32 нм применяют. - Evgeny_CD(24.11.2014 23:36)
- По сути это ответ на вопрос, почему Самсунг применил толстый техпроцесс для своей 3D флеш. Было бы выгодно применять TSV для 20 нм - применяли бы - ANV(25.11.2014 17:36)
- Толстый техпроцесс применил Intel, Samsung -> вроде что-то типа 20 нм применяет, но есть тонкость. С уменьшением размера число циклов падает столь стремительно, что, возможно, экономически выгоднее сделать по 45 нм, зато "дубовую" FLASH со 100к Evgeny_CD(19 знак., 25.11.2014 17:48, ссылка)
- Да ну ладно, Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND -> - ANV(25.11.2014 18:04, ссылка)
- Что говорит о следующем. NAND FLASH 20нм и тоньше получится непутевым, и перспективы идти и дальне по пути тонких техпроцессов в этом секторе нет. А плотность повышать надо. Тут-то и подоспели наработки по 3D. Решили делать бутерброд из 40 нм, Evgeny_CD(132 знак., 25.11.2014 18:12)
- Это говорит что Samsung захотел быть первым используя более дешевые технологии производства с примочками что бы удешевить память и открыть новые горизонты емкостей, Интел захотела того же, ибо печь далее флешку с ресурсом 1-3к - себя не уважать. А ANV(84 знак., 25.11.2014 18:23)
- Что говорит о следующем. NAND FLASH 20нм и тоньше получится непутевым, и перспективы идти и дальне по пути тонких техпроцессов в этом секторе нет. А плотность повышать надо. Тут-то и подоспели наработки по 3D. Решили делать бутерброд из 40 нм, Evgeny_CD(132 знак., 25.11.2014 18:12)
- Т.е. 3D FLASH не дает ответа на вопрос о применимости или не применимости технологии TSV как таковой для 20 нм и менее - есть локальные ограничения на выбор технологии. - Evgeny_CD(25.11.2014 17:51)
- Да ну ладно, Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND -> - ANV(25.11.2014 18:04, ссылка)
- Толстый техпроцесс применил Intel, Samsung -> вроде что-то типа 20 нм применяет, но есть тонкость. С уменьшением размера число циклов падает столь стремительно, что, возможно, экономически выгоднее сделать по 45 нм, зато "дубовую" FLASH со 100к Evgeny_CD(19 знак., 25.11.2014 17:48, ссылка)
- По сути это ответ на вопрос, почему Самсунг применил толстый техпроцесс для своей 3D флеш. Было бы выгодно применять TSV для 20 нм - применяли бы - ANV(25.11.2014 17:36)
- Ничего не бывает бесплатно. :) Кстати, TSV пока в основном для 45 и 32 нм применяют. - Evgeny_CD(24.11.2014 23:36)
- Безусловно, но даже виа 10мкм по сравнению с 14нм техпроцесса выглядят как слон рядом с мышкой :) А виа надо много, делать широкие шины - ANV(24.11.2014 23:33)