caxapa.ru :: Ну, может быть...

=AK= (04.08.2004 15:07, просмотров: 1) ответил =mse= на Да ну, уважаемый. Диффузия. Чего-то Вы большого мнения о диффузии ;О). Уж сказали бы электромиграция.

Ну, может быть... Х.З. какие там параметры у этой диффузии... Там же надо чиста-канкретна в формулу коэффициенты подставлять, а я это никогда не пробовал. Может, и правда зря волну нагнал ;-)

- При 1000-1200 в течение N часов на десятки мкм в кремнии. - =mse=(04.08.2004 15:18)
  - Тем более, что диффузия вредна для изоляции p-n переходом, а нынче в микросхемах применяют изоляцию транзисторов поликремнием или SiO2 или какие другие извраты. - =L.A.=(04.08.2004 17:55)
    - Да и как диффузия может вредить переходу? - =mse=(05.08.2004 11:59)
      - Голому переходу (т.е. диоду) - почти никак, но... =AK=(146 знак., 05.08.2004 15:48)
        
        хе-хе-хе ;О) Эмиттерная диффузия - самая последняя, самая контролируемая. И у полевиков контактные(стоково-истоковые) области тоже последние. Кстати, там... =mse=(115 знак., 05.08.2004 16:22)
        
        "Предупреждать надо!" (с) =AK=(64 знак., 06.08.2004 14:53)
      - Ну так он, переход изза диффузии перемещается+размывается граница ( что ухудшает его свойства ). Но это всё технология 30-ти летней давности, сейчас , думаю, даже на Ангстреме что то более новое. - =L.A.=(05.08.2004 13:52)
        
        Да нет, ничего там не ухудшается при располании... =mse=(207 знак., 05.08.2004 14:10)
    - Тем не менее SOI(КНС по нашему) на современных нормах удел достаточно продвинутых дядек. Не всякий Интель на это способен ;О) - =mse=(05.08.2004 11:57)
      - Понятно , что не всякий Ангстрем, а только некоторые Интели. -:) - =L.A.=(05.08.2004 13:21)
        
        Ну Ангстремовский КНС это не есть современные нормы(имею в виду хотя бы 0.5-0.35мкм) - =mse=(05.08.2004 13:27)

Микроконтроллеры