caxapa.ru :: а если так?

Adept (Сегодня, 14:48 - 14:56, просмотров: 70) ответил POV на Чё-то туплю. Нужно простейнькая схема на транзисторе которая при большом входном (+24) на себе часть роняет (линейный стабилизатор), а если напруга малая (+10), то транзистор должен быть предельно насыщен, без огранчиения пущать напругу.

а если так?

ни разу не моделировал, и ессно не паял :) просто измышления, но на первый взгляд рабочие:

идея (вроде рабочая)

пока Vвх > 12V (напряжение стабилизации стабилитрона), получаем обычный хреновый линейны стабилизатор

как только меньше, VT2 закрывается, VT1 - в насыщении (прядка 0,3V д.б.)

в окрестности 12V (чуть выше) - VT1 начинает насыщаться.

Напряжения и мощность стабиллитрона выбираем по вкусу, номиналы и мощности резисторов и транзисторов, соответсвенно. Возможно вместо VT2 стоит поставить составной.

VD1 защищает VT1 от обратного Vбэ, которое для большинства биполярников порядка 5V. Это для довольно экзотического сценария налиция напряжения на нагрузке (напимер в фильтровочных ёмкостях) и низком Vвх. Наверное можно его и не ставить, но "на всякий" нарисовал.

минусы - R1 - будет заметно греться при высоком Vвх, но если VT2 с высоким бета, то можно R1 взять повысокоомнее

R3 и в особенности R2 нужны не сильно большие (зависит от бета VT1 и тока нагрузки), но и не сильно маленький, чтобы не перегрузить и не греть VT2 при высоком Vвх

ну как-то так.

На первый взгляд должно работать нормально.

...делать нужно так, как нужно. А как ненужно - делать не нужно (С) Винни-Пух :)

Ответить

- Большое падение будет при пониженном входном. VD1 - чтобы сжечь базу при коротыше на входе? - Nikolay_Po(Сегодня, 14:55)
  - с чего будет большое падение, если VT1 в насышении практически (считай база соединена с коллектором) разве не? VD1 как раз для защиты БЭ от "обратного" при остаточном напряжении на нагрузки и низком входном. - Adept(Сегодня, 15:00)
    - Велико сопротивление между базой и плюсом питания. Падение будет больше, чем у LDO. А диод я бы со входа на выход поставил. Ну или ещё один - с базы на коллектор. А то при замыкании на входе, с ёмкостей выхода потечёт ток через Б-К. И база отгорит. - Nikolay_Po(Сегодня, 15:04)
    - 100к нагрузка - почти получается. Но если хоть немного пытаться ток качать - сразу падение большое. POV(3 знак., Сегодня, 15:02, картинка, картинка)
      - Болванка Алиса: Значение напряжения насыщения может отличаться у разных транзисторов, но обычно находится в пределах 0,3–0,5 В. То есть, при сколько-нибудь существенном токе, всё равно будет напряжение падения К-Э. Нужен полевик, только он оперирует сопротивлением канала и оно может быть десятки миллиом. - Ralex(Сегодня, 16:15)
      - Ну не сильно большое (но не минимальное конечно). Дык у Вас 20uA в базе VT1 всего, а в нагрузке 7mA, бета там, в лучшем случае 50, а то и менее. сделайте ток в базе VT1 на порядок большим. Резисторы 10К попробуйте уронить до 1К (понятно, что это только для проверки идеи, и так, может Q1/Q2 дополнить вторым, для высокого бета? Понятно, что баланс между КПД и падением напряжения будет, но схема вроде рабочая. Мож какая-то вариация на эту схему и устроит? Adept(130 знак., Сегодня, 16:08)
        
        Чего-то как-то гемморойно выходит, места нет всё это лепить. Буду подумать... транзюк надо полегче подобрать, от этого сильно зависит нагрек контроллера. - POV(Сегодня, 16:09)
        
        тогда может лучший высоковольтный LDO?? В зависимости от нагрузки, получите 0,5..1V падение. Неужто так критично? Но это тоже место и тепло... Впрочем, Ваш изначальный посыл (аналоговый ограничитель) и не предполагал компактности и высокого КПД. Ежели нужен КПД и компактность, то за этим пожалуйте в высоковольтным DCDC. В SOT23-6 их немало, но это сразу платка. - Adept(Сегодня, 16:20)

Схемы, платы, компоненты