caxapa.ru :: Сомневаюсь что весь сыр бор ради закона Мура, наверное переход к FinFET всё таки решает какие то технологические проблемы которые на бОльших техпроцессах не создают существенных проблем.

ANV (24.11.2014 23:23, просмотров: 111) ответил Evgeny_CD на Очень интересные слайды от Intel. Особенно последний. -> Четко показано, ради чего они начали городить свои 3D транзюки. Не от хорошей жизни.

Сомневаюсь что весь сыр бор ради закона Мура, наверное переход к FinFET всё таки решает какие то технологические проблемы которые на бОльших техпроцессах не создают существенных проблем. Кстати, а почему стоимость кв. мм пластины растет с уменьшением техпроцесса, пластины вроде (почти) такие же.. особенно у Интела или нет? Вот стоимость масок растет, это да (и их количество). В процах может быть выгоднее делать нижний слой - память и кэши, а верхний - логику и вычислительные устройства. Но это не делается потому, что, видимо, технология переходных отверстий что-то нарушает, например они занимают много места и надо разработать технологию TSV с небольшими диаметрами и т.д.

Ответить

- Количество тех. операций на тонких техпроцессах растет. Т.е. помимо роста стоимости комплекта шаблонов еще и растут затраты времени и реактивов на возню с ними. -> Двойное экспонирование - Evgeny_CD(24.11.2014 23:34, ссылка)
- TSV - пока еще слишком молодая технология. Но там уже наработали design rules, чтобы отверствия занимали мало. - Evgeny_CD(24.11.2014 23:30)
  - Безусловно, но даже виа 10мкм по сравнению с 14нм техпроцесса выглядят как слон рядом с мышкой :) А виа надо много, делать широкие шины - ANV(24.11.2014 23:33)
    - Ничего не бывает бесплатно. :) Кстати, TSV пока в основном для 45 и 32 нм применяют. - Evgeny_CD(24.11.2014 23:36)
      - По сути это ответ на вопрос, почему Самсунг применил толстый техпроцесс для своей 3D флеш. Было бы выгодно применять TSV для 20 нм - применяли бы - ANV(25.11.2014 17:36)
        
        Толстый техпроцесс применил Intel, Samsung -> вроде что-то типа 20 нм применяет, но есть тонкость. С уменьшением размера число циклов падает столь стремительно, что, возможно, экономически выгоднее сделать по 45 нм, зато "дубовую" FLASH со 100к Evgeny_CD(19 знак., 25.11.2014 17:48, ссылка)
        
        Да ну ладно, Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND -> - ANV(25.11.2014 18:04, ссылка)
        
        Что говорит о следующем. NAND FLASH 20нм и тоньше получится непутевым, и перспективы идти и дальне по пути тонких техпроцессов в этом секторе нет. А плотность повышать надо. Тут-то и подоспели наработки по 3D. Решили делать бутерброд из 40 нм, Evgeny_CD(132 знак., 25.11.2014 18:12)
        
        Это говорит что Samsung захотел быть первым используя более дешевые технологии производства с примочками что бы удешевить память и открыть новые горизонты емкостей, Интел захотела того же, ибо печь далее флешку с ресурсом 1-3к - себя не уважать. А ANV(84 знак., 25.11.2014 18:23)
        
        Дело не уважении, а в экономике. Слишком много флеша придется под резерв пускать, и контроллер будет слишком сложный и дорогой. А вот если за счет хайтеков сделать 100к ресурс на 40 нм - тот тут кайф и наступит. - Evgeny_CD(25.11.2014 18:26)
        
        "себя не уважать" это была фигура речи, я думал будет понятно что у коммерческой организации главные причины - экономические. - ANV(25.11.2014 18:53)
        
        Т.е. 3D FLASH не дает ответа на вопрос о применимости или не применимости технологии TSV как таковой для 20 нм и менее - есть локальные ограничения на выбор технологии. - Evgeny_CD(25.11.2014 17:51)

Средства и методы разработки