Evgeny_CD, Архитектор (14.01.2021 22:12, просмотров: 411) ответил Yurasvs на Симистору поможет только жирность самого симистора, и то с
вероятностью 50/50. Симистор почти не ограничивает ток сам по себе,
его должна ограничивать внешняя цепь, но даже с ограничением тока
10мс это слишком много. ИЖБТ и МОСФЕТы сами ограничивают ток за
счет перехода в линейный режим (для среднестатистического ИЖБТ ток
КЗ обычно в 10 раз превышает номинальный для данного транзистора),
и в таком режиме гарантируется устойчивость к КЗ в течение всего
единиц-
- Почему это нет? При конкретном напряжении на затворе транзистор
переходит в режим источника тока при вполне определенном токе,
смотрите графики в даташитах. Другое дело, что если применить для
них драйвер с контролем десатурейшена, то порог срабатывания будет
сильно зависеть от температуры в отличие от ИЖБТ, хотя будет
меняться в правильную сторону (с прогревом понижаться). Так что
такая защита там тоже возможна, надо только правильно все
рассчитать. Довольно давно Yurasvs(89 знак., 14.01.2021 22:51)
- IGBT влетает в desat независимо от Vgs и Vds. Поэтому desat там
ловить легко. Попытка перевести ключевой MOSFET в режим генерации
тока это полный писец схемотехнике. Это будет такая АВМ, что АВМ
старой советской боеголовки курит в сторонке. Evgeny_CD(884 знак., 14.01.2021 23:32)
- adum4135 - Chip_n_Go(15.01.2021 23:49,
)
- Спасибо, хорошая штучка! - Evgeny_CD(17.01.2021 16:03)
- Вообще, если подумать, то аналогово-цифровой конечный автомат,
который все это будет делать, умеренно сложный, и сделать его в ИМС
по 0.25 мкм, скажем, вполне реально. Странно, что это не сделали до
сих пор. - Evgeny_CD(15.01.2021 01:06)
- dialog semiconductor делает аналогово-цифровые плисины. но ресурсов
там не так уж чтобы и много - Mahagam(15.01.2021 01:55, ссылка)
- Если использовать идею индивидуальной калибровки, то ресурсов хватит. Это очень сильно упростит логику работы. - Evgeny_CD(15.01.2021 02:12)
- Спасибо! Однако дерзнуть можно - 12В 2А выходы там есть, то, что доктор прописал. - Evgeny_CD(15.01.2021 02:08)
- Более того. При нормальном производстве в целом не так и трудно прогнать в термошкафу транзюки и снять индивидуальные характеристики. После чего зашить в EEPROM драйвера. Он очень сильно упростится от этого. - Evgeny_CD(15.01.2021 01:50)
- dialog semiconductor делает аналогово-цифровые плисины. но ресурсов
там не так уж чтобы и много - Mahagam(15.01.2021 01:55, ссылка)
- Вопрос - а такие готовые драйвера для полевиков есть? IR2104, IR2118,...... - m16(14.01.2021 23:45)
- ? Там вообще защит нету. - Evgeny_CD(15.01.2021 00:43)
- Там нет десатурейшена. - Yurasvs(14.01.2021 23:52)
- Не надо работать на границе ОБР. Тогда все проще. Кого интересует, при каком токе он реально вырубится, при 5ти или 10тикратном? Главное, чтобы не вырубался при рабочем и оставался жив при срабатывании защиты. Пусть порог гуляет в 2 раза в рабочем диапазоне температур, ну и хрен с ним. Зато просто и малогабаритно, хотя ИЖБТ дешевле конечно. Для однократного срабатывания высокая скорость МОСФЕТов не дает никаких преимущств, так что бездиодные ИЖБТ встречнопараллельно вне Yurasvs(12 знак., 14.01.2021 23:43)
- adum4135 - Chip_n_Go(15.01.2021 23:49,
- IGBT влетает в desat независимо от Vgs и Vds. Поэтому desat там
ловить легко. Попытка перевести ключевой MOSFET в режим генерации
тока это полный писец схемотехнике. Это будет такая АВМ, что АВМ
старой советской боеголовки курит в сторонке. Evgeny_CD(884 знак., 14.01.2021 23:32)
- Хм... В некоторых SiC FET есть гарантия КЗ на 3-5 мкс, но я пока не
понял, за счет чего это работает? Но SiC совсем не радуют ценой.... - Evgeny_CD(14.01.2021 22:23)
- Энергия выделившаяся на переходе за 3-5 мкс не способна его разрушить? А мощность ограничена падением напряжения, и в конечном счёте низким сопротивлением канала. Далее переход разогревается, сопротивление растёт, мощность растёт, процесс принимает лавинообразный характер и из транзистора выходит волшебный дым. - fk0(14.01.2021 22:39)
- MOSFET имеет конечное сопротивление, которое растёт с ростом температуры и тока. Что в принципе позволяет их запараллеливать. - fk0(14.01.2021 22:22)
- Почему это нет? При конкретном напряжении на затворе транзистор
переходит в режим источника тока при вполне определенном токе,
смотрите графики в даташитах. Другое дело, что если применить для
них драйвер с контролем десатурейшена, то порог срабатывания будет
сильно зависеть от температуры в отличие от ИЖБТ, хотя будет
меняться в правильную сторону (с прогревом понижаться). Так что
такая защита там тоже возможна, надо только правильно все
рассчитать. Довольно давно Yurasvs(89 знак., 14.01.2021 22:51)