ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Суббота
27 апреля
1069206 Топик полностью
Yurasvs (14.01.2021 23:43, просмотров: 348) ответил Evgeny_CD на IGBT влетает в desat независимо от Vgs и Vds. Поэтому desat там ловить легко. Попытка перевести ключевой MOSFET в режим генерации тока это полный писец схемотехнике. Это будет такая АВМ, что АВМ старой советской боеголовки курит в сторонке.
Не надо работать на границе ОБР. Тогда все проще. Кого интересует, при каком токе он реально вырубится, при 5ти или 10тикратном? Главное, чтобы не вырубался при рабочем и оставался жив при срабатывании защиты. Пусть порог гуляет в 2 раза в рабочем диапазоне температур, ну и хрен с ним. Зато просто и малогабаритно, хотя ИЖБТ дешевле конечно. Для однократного срабатывания высокая скорость МОСФЕТов не дает никаких преимущств, так что бездиодные ИЖБТ встречнопараллельно вне 

конкуренции.