Вход Наше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Четверг
2 мая

О смысле всего сущего 0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынок Объявления

Микроконтроллеры PLD, FPGA, DSP AVR PIC ARM, RISC-V Технологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты

Средства и методы разработки

1156493 Топик полностью

Evgeny_CD, Архитектор (19.12.2021 21:48, просмотров: 566) ответил Evgeny_CD на IBM и Samsung придумали вертикальные транзисторы VTFET

Подробности

https://3dnews.ru/1056244/ibm-rasskazala-v-chyom-sekret-vertikalnih-tranzistorov-vtfet

Ответить

- Вполне ожидаемо - Samsung застрельщик вертикальной Flash, а все транзисторы меньше 4 нм переходят с FinFet на GaaFet с окруженим затвором проводящего канала. Только ждать придется не менее 5 лет, до суб-нм норм. - Chip_n_Go(20.12.2021 00:13, )
  - Как всегда, есть два аспекта. Доказательство теоремы существования и масс продакшен. Первое позволяет зарезервировать деньги инвесторов. Второе уж как сложится. У Intel 10 нм тех процесс вроде тоже поначалу был зашибись, а оно вона что вышло. - Evgeny_CD(20.12.2021 00:53)